鎵技術(shù)資料-砷化鎵芯片-襯底氮化鎵-氮化物氮化鎵-制作氮化鎵-控制氮化鎵類(lèi)資料（398元/全套）選購(gòu)時(shí)請(qǐng)記住本套資料（光盤(pán)）售價(jià)：398元；資料（光盤(pán)）編號(hào)：F150269
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《鎵資料》包括專(zhuān)利技術(shù)全文資料694份。
0001)一種用于砷化鎵晶片的精拋液

0011)銦砷/鎵砷量子點(diǎn)的分子束外延生長(zhǎng)方法
0012)用于氮化鎵外延生長(zhǎng)的襯底材料及制備方法
0013)鋁鎵銦砷多量子阱超輻射發(fā)光二極管
0014)銦鎵氮外延薄膜及生長(zhǎng)方法和在太陽(yáng)能電池的應(yīng)用
0015)樹(shù)葉脈絡(luò)形大功率氮化鎵基發(fā)光二極管芯片的P、N電極
0016)砷化鎵表面微波放電鈍化膜的自體生長(zhǎng)方法
0017)一種具有MFI結(jié)構(gòu)含鎵沸石的制備方法
0018)通過(guò)掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導(dǎo)體層的方法及由此制作的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
0019)混合有機(jī)鎵源選擇區(qū)域生長(zhǎng)銦鎵砷磷多量子阱的方法
0020)基于氮化鎵的發(fā)光二極管及其制造方法
0021)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)及其制造方法
0022)在硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵自支撐襯底材料的方法
0023)一種用于砷化鎵單晶生長(zhǎng)的光學(xué)測(cè)徑裝置
0024)一種氮化鎵基小芯片LED陣列結(jié)構(gòu)及制備方法
0025)一種吸附鎵專(zhuān)用螯合樹(shù)脂及制備方法
0026)一種氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法
0027)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0028)利用浸漬吸附樹(shù)脂從拜耳液中提取鎵
0029)銦鎵砷紅外探測(cè)器
0030)利用銦鎵氮發(fā)光二極管作為紅外目標(biāo)信號(hào)探測(cè)的成像裝置
0031)生長(zhǎng)氮化鎵晶體的方法
0032)一種多層結(jié)構(gòu)絕緣層上鎵化硅材料及制備方法
0033)磷酸三鎵晶體的助熔劑生長(zhǎng)法
0034)降低磷化鎵單晶尾部位錯(cuò)的方法
0035)一種含鎵礦物中鎵的提取方法
0036)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜的方法
0037)氮化鎵系發(fā)光二極管
0038)氮化鎵系Ⅲ(*)砷化鎵/銻化鎵迭層聚光太陽(yáng)電池的制作方法
0040)一種砷化銦、砷化鎵的化學(xué)還原制備方法
0041)銅銦鎵硒太陽(yáng)電池窗口層沉積的一種新方法
0042)一種銦鎵共摻的低阻P型二氧化錫薄膜材料及其制造方法
0043)含鎵煙塵的處理方法
0044)一種鈷鎳鐵鎵形狀記憶合金材料
0045)非破壞性定量檢測(cè)砷化鎵單晶化學(xué)配比的方法
0046)含鎵氮化物塊狀單結(jié)晶在異質(zhì)基板上的形成法
0047)改進(jìn)氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵結(jié)晶膜表面質(zhì)量的方法
0048)高純氧化鎵的制備方法
0049)一種氮化鎵基大管芯發(fā)光二極管
0050)鎵酸鋰晶體的制備方法
0051)一種氯化鎵的制備方法
0052)一種用于氮化鎵外延生長(zhǎng)的新型藍(lán)寶石襯底
0053)具有氮化鎵基的輻射外延層的發(fā)光二極管芯片及制造方法
0054)用萃取(*)一種照明用氮化鎵基發(fā)光二極管器件
0056)堿金屬鑭鉍鎵酸鹽紅外光學(xué)玻璃及其制備方法
0057)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)氮化鎵基高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法
0058)雙摻鉻釹釓鎵石榴石自調(diào)Q激光晶體的生長(zhǎng)方法
0059)制做氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的方法
0060)通過(guò)部分凝固提純鎵的方法
0061)氮化鎵系發(fā)光二極管的構(gòu)造
0062)摻雜稀土的鎵鍺鉍鉛發(fā)光玻璃材料及其制備方法和應(yīng)用
0063)一種鎵摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電膜的制備方法
0064)抗靜電氮化鎵發(fā)光器件及其制造方法
0065)低溫生長(zhǎng)砷化鎵式半導(dǎo)體可飽和吸收鏡
0066)通過(guò)掩模用橫向過(guò)生長(zhǎng)來(lái)制備氮化鎵襯底以及由此制備的器件
0067)一種采用自催化模式制備帶尖氮化鎵錐形棒的方法
0068)銦鎵砷光電探測(cè)器芯片制作的箱式鋅擴(kuò)散方法
0069)砷化鎵晶片的激光加工方法
0070)倒裝焊技術(shù)制作氮化鎵基發(fā)光二極管管芯的方法
0071)一種砷化鎵單片微波集成電路功率放大器熱沉的制作方法
0072)摻鐿釓鎵石榴石平面光波導(dǎo)的制備方法
0073)一種用于砷化鎵單晶生長(zhǎng)光學(xué)測(cè)徑的方法
0074)制備氮化鎵單晶薄膜材料的裝置及方法
0075)一種從含鎵渣中提取鎵的方法
0076)高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的襯底處理方法
0077)氮化鎵基圓盤(pán)式單色光源列陣
0078)鑭系鎂混合鎵酸鹽和使用該鎵酸鹽單晶的激光器
0079)砷化鎵及其器件表面鈍化保護(hù)膜的制備方法
0080)氮化鎵基Ⅲ(*)提高氮化鎵光導(dǎo)型紫外光電探測(cè)器響應(yīng)度方法及探測(cè)器
0082)氮化鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體裝置
0083)高速砷化鎵基復(fù)合溝道應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料
0084)雙色銦鎵砷紅外探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用
0085)α(*)采用金屬鍵合工藝實(shí)現(xiàn)氮化鎵發(fā)光二極管垂直結(jié)構(gòu)的方法
0087)氮化鎵系發(fā)光二極管的制作方法
0088)從水溶液中沉淀鎵
0089)氮化鎵層的制備方法
0090)含有金鍺鎳的歐姆電極、銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光元件及制造方法
0091)具有低電流集邊效應(yīng)的金屬/氮化鎵鋁/氮化鎵橫向肖特基二極管及其制備方法
0092)砷化鎵腦血流量三維成像儀
0093)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0094)絕緣柵鋁鎵氮化物/氮化鉀高電子遷移率晶體管(HEMT)
0095)用于中溫燃料電池的摻雜鎵酸鑭－無(wú)機(jī)鹽復(fù)合凝聚態(tài)電解質(zhì)
0096)氮化鎵基肖特基結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器及制作方法
0097)氮化鎵半導(dǎo)體激光器
0098)無(wú)氧三烷基鎵的制備方法
0099)氮化鎵系Ⅲ(*)納米氧化鈰的制備方法及其在砷化鎵晶片化學(xué)機(jī)械拋光中的用途
0101)砷化鎵基1.5微米量子阱結(jié)構(gòu)及其外延生長(zhǎng)方法
0102)砷化鎵/空氣型可調(diào)諧濾波器及制作方法
0103)氮化鎵系發(fā)光二極管及其制造方法
0104)低開(kāi)啟電壓砷化鎵基新結(jié)構(gòu)異質(zhì)結(jié)雙極晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
0105)氮化鎵單晶的生長(zhǎng)方法和氮化鎵單晶
0106)一種鎵含量的測(cè)定方法
0107)使用基于堿土金屬硫代鎵酸鹽的高效磷光體的方法及裝置
0108)一種砷化鎵PIN二極管及其制作方法
0109)無(wú)掩膜橫向外延生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化鎵
0110)用于生長(zhǎng)氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0111)銦鎵氮p(*)磷化鎵發(fā)光二極管
0113)導(dǎo)電的非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
0114)氮化鎵系發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及其制作方法
0115)6英寸半絕緣砷化鎵中EL2濃度的測(cè)量方法
0116)銦鎵砷焦平面探測(cè)器的列陣微臺(tái)面的制備方法
0117)氮化鎵基發(fā)光二極管指示筆
0118)砷化鎵基量子級(jí)聯(lián)半導(dǎo)體激光器材料及生長(zhǎng)方法
0119)一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法
0120)可調(diào)諧能量和脈沖頻率的運(yùn)動(dòng)圖形砷化鎵激光弱視矯治儀
0121)氮化鎵基紅外(*)氮化鎵基發(fā)光二極管P、N型層歐姆接觸電極及其制法
0123)基于鎵摻雜Ga3Sb8Te1相變存儲(chǔ)單元及其制備方法
0124)多倍頻程砷化鎵微波單片集成反射型開(kāi)關(guān)
0125)P型氮化鎵電極的制備方法
0126)適用于高速砷化鎵基器件歐姆接觸的金屬合金系統(tǒng)
0127)含鎵和稀土鈰的無(wú)鎘銀釬料
0128)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的外延結(jié)構(gòu)及其制作方法
0129)氮化鎵高電子遷移率晶體管的結(jié)構(gòu)及制作方法
0130)氮化鎵層的制備方法
0131)具有低位錯(cuò)密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
0132)使用含鎵開(kāi)關(guān)材料的液態(tài)金屬開(kāi)關(guān)
0133)氮化鎵基發(fā)光二極管N型層歐姆接觸電極的制作方法
0134)利用倒裝焊技術(shù)制作氮化鎵基發(fā)光二極管管芯的方法
0135)新型垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其生產(chǎn)工藝
0136)準(zhǔn)氮化鋁和準(zhǔn)氮化鎵基生長(zhǎng)襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長(zhǎng)的方法
0137)含去甲基斑蝥酸根(DCA)的銅(Ⅱ)、鎵(Ⅲ)及稀土離子(Ln3+)混配配合物ML(DCA)
0138)一種在砷化鎵襯底上外延生長(zhǎng)銻化鎵的方法
0139)摻雜鈣鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途
0140)氮化鎵基肖特基勢(shì)壘高度增強(qiáng)型紫外探測(cè)器及制作方法
0141)一種砷化鎵單片微波集成電路的可靠性評(píng)估方法
0142)背照射銦鎵砷微臺(tái)面線列或面陣探測(cè)器芯片及制備工藝
0143)采用干法刻蝕制備氮化鎵納米線陣列的方法
0144)長(zhǎng)波長(zhǎng)砷化銦/砷化鎵量子點(diǎn)材料
0145)一種提高氮化鎵基LED芯片抗靜電能力的外延片生長(zhǎng)方法
0146)富鎵氮化鎵薄膜的制造方法
0147)膜沉積第Ⅲ族氮化物如氮化鎵的方法
0148)摻有銻、鎵或鉍的半導(dǎo)體器件及其制造方法
0149)磷化鎵液相外延裝置
0150)硅酸鎵鑭晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)技術(shù)
0151)銦鎵磷增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)
0152)一種砷化鎵基半導(dǎo)體(*)鎵極性氮化鎵緩沖層的生長(zhǎng)方法
0154)氮化鎵基光子晶體激光二極管
0155)提高鋁酸鋰和鎵酸鋰晶片表層晶格完整性的方法
0156)多倍頻程砷化鎵微波單片數(shù)字、模擬移相器
0157)在硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅\氮化鎵材料的方法
0158)一種氮化鎵發(fā)光二極管管芯及其制造方法
0159)通過(guò)氣相外延法制造具有低缺陷密度的氮化鎵膜的方法
0160)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化鎵表面低損傷蝕刻
0162)氮化鎵HEMT器件表面鈍化及提高器件擊穿電壓的工藝
0163)一種硅酸鎵鋇鈮晶體及其制備方法和用途
0164)諧振腔增強(qiáng)的n型砷化鎵遠(yuǎn)紅外探測(cè)器的反射鏡
0165)基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0166)氮化鎵基共振腔增強(qiáng)型紫外光電探測(cè)器及制備方法
0167)帶有氮化鎵有源層的雙異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管
0168)氮化鎵二極管裝置的緩沖層結(jié)構(gòu)
0169)從液相外延廢液中回收高純金屬鎵工藝方法
0170)紫外雙波段氮化鎵探測(cè)器
0171)利用倒裝焊技術(shù)制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0172)氮化鎵紫外探測(cè)器
0173)大功率氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法
0174)多元共蒸發(fā)制備銦鎵銻類(lèi)多晶薄膜的方法
0175)具有低溫成長(zhǎng)低電阻值P型接觸層的氮化鎵系發(fā)光二極管
0176)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發(fā)光器件的方法
0177)鎵銦砷(GaInAs)橫向光電晶體管及其集成技術(shù)
0178)一種檢測(cè)氮化鎵基發(fā)光二極管質(zhì)量?jī)?yōu)劣的方法
0179)砷化鎵基復(fù)合收集區(qū)彈道傳輸異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
0180)含鎵和/或銦的硫化砷鍺玻璃
0181)強(qiáng)堿性鋁酸鈉溶液中萃取提鎵工藝
0182)寬光譜砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法
0183)制造氮化鎵半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
0184)氮化鎵基發(fā)光二極管管芯的制作方法
0185)鈰和至少一種選自稀土、過(guò)渡金屬、鋁、鎵和鋯的其它元素的化合物的膠態(tài)水分散體及其制備方法和用途
0186)含有碳基襯底的銦鎵鋁氮發(fā)光器件以及其制造方法
0187)氮化鎵基藍(lán)光發(fā)光二極管芯片的制造方法
0188)往氮化鎵結(jié)晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
0189)一種鎵提純電解廢液的凈化處理方法
0190)晶態(tài)氮化鎵基化合物的生長(zhǎng)方法以及包含氮化鎵基化合物的半導(dǎo)體器件
0191)一種利用熔鹽法生長(zhǎng)氮化鎵單晶的方法
0192)含鎵氧化鋅
0193)制備摻釹釓鎵石榴石納米粉的凝膠燃燒合成方法
0194)柔性銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池及其制備方法
0195)碳分母液中金屬鎵回收后不溶渣處理工藝
0196)氮化鎵熒光體及其制造方法
0197)不對(duì)稱(chēng)的脊形氮化鎵基半導(dǎo)體激光器及其制作方法
0198)含晶格參數(shù)改變?cè)�素的氮化鎵器件襯底
0199)在β三氧化二鎵襯底上生長(zhǎng)InGaN/GaN量子阱L ED器件結(jié)構(gòu)的方法
0200)氮化鎵基發(fā)光二極管芯片及其制造方法
0201)一種檢測(cè)氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管結(jié)溫的方法
0202)氮化鎵系垂直發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其基材與薄膜分離的方法
0203)反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0204)一種冷卻金屬鎵靶中頻孿生磁控濺射裝置
0205)磷化鎵綠色發(fā)光器件
0206)氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
0207)含堿金屬、鎵或銦的硫?qū)倩�合物晶體的生長(zhǎng)方法
0208)金屬鎵電解生產(chǎn)中電解原液的脫釩方法
0209)氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵膜中的金屬插入層及制備方法
0210)添加硅的砷化鎵單結(jié)晶基板
0211)一種制作氮化鎵發(fā)光二極管芯片N電極的方法
0212)氮化鎵晶體的制造方法
0213)氮化鎵薄膜外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)及方法
0214)一種制造變異勢(shì)壘氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管的方法
0215)一種外延生長(zhǎng)用藍(lán)寶石襯底的鎵原子清洗的方法
0216)改進(jìn)的制備自支撐氮化鎵襯底的激光剝離的方法
0217)氮化鎵基半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)、其制造方法以及采用該層疊結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體和發(fā)光器件
0218)磷化鎵液相外延方法及裝置
0219)一種砷化鎵晶片清洗方法
0220)無(wú)磁場(chǎng)測(cè)量稀磁半導(dǎo)體鎵錳砷鐵磁轉(zhuǎn)變溫度的方法
0221)無(wú)可見(jiàn)光干擾讀出電路的氮化鎵基探測(cè)器及制備方法
0222)銦鎵氮單晶薄膜金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)
0223)砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型應(yīng)變高電子遷移率晶體管材料結(jié)構(gòu)
0224)三甲基鎵、其制造方法以及從該三甲基鎵成長(zhǎng)的氮化鎵薄膜
0225)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件
0226)一種氮化鎵基大管芯發(fā)光二極管及其制備方法
0227)一種用溶膠凝膠法制備氮化鎵納米晶體的方法
0228)激光剝離制備自支撐氮化鎵襯底的方法
0229)氮化鎵外延層的制造方法
0230)一種制造氮化鎵發(fā)光二極管芯片的工藝方法
0231)氮化鎵基Ⅲ(*)銅銦鎵硒或銅銦鎵硫薄膜太陽(yáng)能電池吸收層的制備方法
0233)一種氮化鎵系Ⅲ(*)陶瓷靶，由氧化鋅、鎵和硼構(gòu)成的薄膜以及該薄膜的制備方法
0235)鎵在硅臺(tái)面管生產(chǎn)中的應(yīng)用技術(shù)
0236)一種銅錳鎵鍺精密電阻合金
0237)適用于氮化鎵器件的鈦/鋁/鈦/鉑/金歐姆接觸系統(tǒng)
0238)用于生長(zhǎng)氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
0239)一種從氧化鋁生產(chǎn)的分解母液中提取鎵的方法
0240)水平三溫區(qū)梯度凝固法生長(zhǎng)砷化鎵單晶的方法
0241)一種鎵鋁合金、制備方法及其在制氫領(lǐng)域的應(yīng)用
0242)碘鎵燈的可拆卸燈座
0243)直拉法生長(zhǎng)摻鎵硅單晶的方法和裝置
0244)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0245)一種生產(chǎn)4N金屬鎵的方法
0246)一種制造重?fù)诫s氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
0247)新型半導(dǎo)體材料銦鎵氮表面勢(shì)壘型太陽(yáng)電池及其制備方法
0248)經(jīng)表面粗化的高效氮化鎵基發(fā)光二極管
0249)金剛石上的氮化鎵發(fā)光裝置
0250)一種含鎵、銦和鈰的銅磷銀釬料
0251)一種從砷化鎵工業(yè)廢料中綜合回收鎵和砷的方法
0252)一種因干法刻蝕受損傷的氮化鎵基材料的回復(fù)方法
0253)一種鎵酸鑭基固體氧化物燃料電池用正極材料的制備方法
0254)通過(guò)去除襯底來(lái)制備銦鋁鎵氮光發(fā)射器
0255)非晶系氮化鋁銦鎵發(fā)光二極管裝置
0256)氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
0257)用于塑封的砷化鎵芯片鈍化方法
0258)用于制造基于氮化鎵的單晶襯底的方法和裝置
0259)2(*)寬光譜砷化銦/砷化鋁鎵量子點(diǎn)材料生長(zhǎng)方法
0261)共振隧穿增強(qiáng)銦鎵砷/鎵砷量子阱紅外探測(cè)器
0262)摻有金屬氧化物的氧化鎵氣體感應(yīng)膜及其制備方法
0263)砷化鎵／磷化銦異質(zhì)氣相外延技術(shù)
0264)液(*)鎵的回收方法
0266)氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵膜中的氧化鋁掩膜及制備方法
0267)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0268)含鎵、銦和鈰的無(wú)鎘銀釬料
0269)可調(diào)節(jié)安裝位置的碘鎵燈
0270)偏鎵砷(100)襯底雙模尺寸分布銦砷量子點(diǎn)及制作方法
0271)氮化鎵系Ⅲ(*)采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片
0273)鎵中雜質(zhì)元素的分析方法
0274)直拉法生長(zhǎng)銻化鎵單晶的方法和裝置
0275)氮化鎵基半導(dǎo)體器件
0276)一種判斷氮化鎵基發(fā)光二級(jí)管非輻射復(fù)合中心濃度的方法
0277)小尺寸氮化鎵基藍(lán)、綠色發(fā)光二極管管芯的制作方法
0278)形成于碳化硅基板上的氮化鎵膜的剝離方法及使用該方法制造的裝置
0279)一種控制氮化鎵(GaN)極性的方法
0280)氮化鎵單晶基板及其制造方法
0281)氮化鎵晶體的制造方法
0282)制備長(zhǎng)波長(zhǎng)大應(yīng)變銦鎵砷/銦鎵砷磷量子阱激光器的方法
0283)氮化鎵多重量子井發(fā)光二極管的n型接觸層結(jié)構(gòu)
0284)在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導(dǎo)體層,并由此制造氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
0285)一種脈沖電沉積銅銦鎵硒半導(dǎo)體薄膜材料的方法
0286)氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法
0287)塊狀單晶含鎵氮化物制造方法
0288)具有高光萃取效率的氮化鎵系發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)
0289)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鉑/金歐姆接觸系統(tǒng)
0290)鎵在治療炎性關(guān)節(jié)炎中的用途
0291)羥基鎵酞菁化合物,其制備方法和用這種化合物的電照相感光元件
0292)一種提高氮化鎵基材料外延層質(zhì)量的襯底處理方法
0293)一種多電極氮化鎵基半導(dǎo)體器件的制造方法
0294)砷化鎵/砷化鋁分布布拉格反射鏡的濕法腐蝕方法
0295)局部存在有單晶氮化鎵的基底及其制備方法
0296)一種含鎵和鈰的無(wú)鎘銀釬料
0297)氮化鎵晶圓
0298)氮化鎵紫外色度探測(cè)器及其制作方法
0299)平面型銦鎵砷紅外焦平面探測(cè)器及制備方法
0300)提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結(jié)構(gòu)及制作方法
0301)從堿液中分離鎵的方法
0302)硫鎵銀多晶體的制備方法與裝置
0303)生長(zhǎng)氮化鎵晶體的方法
0304)磷化鎵發(fā)光組件的制造方法以及制造裝置
0305)鎵抑制生物膜形成
0306)具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ(*)改善氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管歐姆接觸的合金方法
0308)鎢輔助熱退火制備氮化鎵納米線的制備方法
0309)透紅外鎵酸鹽玻璃
0310)制造在單晶氮化鎵襯底上的Ⅲ族氮化物基諧振腔發(fā)光器件
0311)鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法
0312)一種制備氮化鎵單晶襯底的方法
0313)具有寬頻譜的氮化鋁銦鎵發(fā)光二極管及固態(tài)白光器件
0314)以多孔氮化鎵作為襯底的氮化鎵膜的生長(zhǎng)方法
0315)直拉法生長(zhǎng)摻鎵硅單晶的裝置
0316)生長(zhǎng)砷化鎵單晶的溫控爐
0317)使用基于副Ⅱ族元素硒化物和/或基于硫鎵化物的磷光體材料發(fā)射輸出光的器件與方法
0318)對(duì)砷化鋁/砷化鎵的砷化鎵高選擇比化學(xué)腐蝕液
0319)一種新型非線性光學(xué)晶體硼酸鋁鎵鉍
0320)用于磷化鎵發(fā)光元件的外延晶片及磷化鎵發(fā)光元件
0321)適用于氮化鎵器件N型歐姆接觸的制作方法
0322)氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光裝置、光照明器、圖像顯示器、平面光源裝置和液晶顯示組件
0323)減小表面態(tài)影響的氮化鎵基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測(cè)器
0324)漸變帶隙的銦鎵砷材料的制備方法
0325)具有鑭鎵硅氧化物單晶基片的聲表面波器件
0326)寬帶隙氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法
0327)氮化鎵系半導(dǎo)體的成長(zhǎng)方法
0328)氮化鎵化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0329)一種在砷化鎵襯底上外延生長(zhǎng)銻化鎵的方法
0330)在基于氮化鎵的蓋帽區(qū)段上有柵接觸區(qū)的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法
0331)砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)(晶體)管溝道溫度測(cè)試裝置
0332)一種氮化鎵基Ⅲ(*)制造半導(dǎo)體器件的氧化與擴(kuò)鎵一步運(yùn)行工藝
0355)摻雜鈣鋰鉭鎵石榴石晶體的制備方法和用途
0366)一種制備氮化鎵基 LED的新方法
0367)鋁鎵氮化物/氮化鎵高電子遷移率晶體管及制造方法
0368)利用始于溝槽側(cè)壁的橫向生長(zhǎng)來(lái)制造氮化鎵半導(dǎo)體層
0369)氮化鎵基半導(dǎo)體器件及其制造方法
0370)自剝離氮化鎵襯底材料的制備方法
0371)富有機(jī)鎵豆芽的生產(chǎn)方法及應(yīng)用
0372)導(dǎo)電和絕緣準(zhǔn)氮化鎵基生長(zhǎng)襯底及其低成本的生產(chǎn)技術(shù)和工藝
0373)硅襯底上生長(zhǎng)低位錯(cuò)氮化鎵的方法
0374)亞穩(wěn)態(tài)巖鹽相納米氮化鎵的溶劑熱合成制備方法
0375)含鎵硅酸鹽分子篩催化劑的合成方法
0376)碳化硅層的制造方法、氮化鎵半導(dǎo)體器件以及硅襯底
0377)多倍頻程砷化鎵微波單片集成矢量調(diào)制器
0378)制備氮化鎵單晶薄膜的方法
0379)超高立式反應(yīng)器的氮化鎵金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積法設(shè)備
0380)氮化鎵基Ⅲ(*)基于堿土金屬、硫和鋁、鎵或銦的化合物,其制備方法及其作為發(fā)光材料的使用
0382)摻釹釓鎵石榴石激光晶體的生長(zhǎng)方法
0383)中濃度P型摻雜透射式砷化鎵光陰極材料及其制備方法
0384)用于生長(zhǎng)平坦半極性氮化鎵的技術(shù)
0385)用AlN制作大功率鎵砷/鋁鎵砷激光器非吸收窗口的方法
0386)硝酸鎵的制備方法
0387)低極化效應(yīng)的氮化鎵基發(fā)光二極管用外延材料及制法
0388)制備放射性標(biāo)記的鎵絡(luò)合物的微波方法
0389)高亮度氮化鎵類(lèi)發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)
0390)自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導(dǎo)體元件的制造方法
0391)氮化鎵基異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法
0392)一種銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法
0393)砷化鎵/氧化鋁型可調(diào)諧濾波器及制作方法
0394)氮化鎵發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
0395)氮化鎵化合物半導(dǎo)體制造方法
0396)氮化鎵系發(fā)光器件
0397)一種鎵酸釔基三色熒光材料及其制備方法
0398)鋁鎵銦磷系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器及其制造方法
0399)砷化鎵單晶襯底及使用該襯底的外延晶片
0400)垂直結(jié)構(gòu)的非極化的氮化鎵基器件及側(cè)向外延生產(chǎn)方法
0401)生產(chǎn)氮化鎵膜半導(dǎo)體的生產(chǎn)設(shè)備以及廢氣凈化設(shè)備
0402)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積氮化鎵基薄膜外延生長(zhǎng)設(shè)備
0403)硅酸鑭鎵晶片及其制備方法
0404)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發(fā)光二極管及制備方法
0405)一種用低硅鐵生產(chǎn)金屬鎵的工藝及其裝置
0406)單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長(zhǎng)晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
0407)一種含鎵、銦和鈰的無(wú)鎘銀基釬料
0408)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的磊晶結(jié)構(gòu)及其制作方法
0409)氮化鎵薄膜材料的制備方法
0410)氮化鎵基LED的發(fā)光裝置
0411)鋁銦磷或鋁鎵銦磷材料大功率半導(dǎo)體激光器及制作方法
0412)氮化鎵單晶的生長(zhǎng)方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0413)鋁鎵氮(*)燒結(jié)的多晶氮化鎵
0415)硝酸鎵的制備方法
0416)氮化鎵襯底以及氮化鎵襯底測(cè)試及制造方法
0417)一種氮化鎵基場(chǎng)效應(yīng)管及其制作方法
0418)氮化鎵單晶的生長(zhǎng)方法,氮化鎵單晶基板及其制造方法
0419)一種提取鎵的生產(chǎn)方法
0420)一種從含鎵的釩渣中提取鎵的方法
0421)一種砷化鎵基半導(dǎo)體(*)一種用于氮化鎵外延生長(zhǎng)的圖形化襯底材料
0423)氮化鎵系Ⅲ(*)獲得大單晶含鎵氮化物的方法的改進(jìn)
0425)鋅和/或鎵促進(jìn)的多金屬氧化物催化劑
0426)掩埋結(jié)構(gòu)鋁銦鎵砷分布反饋激光器的制作方法
0427)氮化砷化鎵銦系異質(zhì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法和使用它的發(fā)送接收裝置
0428)含鎵和鈰的無(wú)鎘銀釬料
0429)含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
0430)一種氮化鎵基發(fā)光二極管P型層透明導(dǎo)電膜及其制作方法
0431)形成鎵砷/鋁鎵砷激光二極管的非吸收窗口的方法
0432)氫化物氣相外延生長(zhǎng)氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法
0433)具有低正向電壓及低反向電流操作的氮化鎵基底的二極管
0434)以氮化鎵為基底的半導(dǎo)體發(fā)光裝置
0435)性能提高的砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及其制造方法
0436)晶片鍵合的鋁鎵銦氮結(jié)構(gòu)
0437)新型垂直結(jié)構(gòu)的氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管
0438)用于超高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件的銦的硫系化物、鎵的硫系化物、和銦－鎵硫系化物的相變介質(zhì)
0439)碳化硅襯底氮化鎵高電子遷移率晶體管及制作方法
0440)異質(zhì)面砷化鎵背場(chǎng)太陽(yáng)能電池
0441)氮化鎵系發(fā)光二極管的垂直電極結(jié)構(gòu)
0442)太陽(yáng)能電池銅銦鎵硒薄膜關(guān)鍵靶材及其制備方法
0443)生長(zhǎng)高遷移率氮化鎵外延膜的方法
0444)氮化鎵系異質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體
0445)碘鎵燈
0446)一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法
0447)一種無(wú)液封合成砷化鎵多晶材料的工藝方法
0448)氮化鎵的塊狀單結(jié)晶的制造方法
0449)一種生產(chǎn)金屬鎵聯(lián)產(chǎn)氧化鋁的方法
0450)氮化鎵半導(dǎo)體器件
0451)含鎵、銦、硅和稀土釹的無(wú)鎘銀釬料
0452)氮化銦鎵發(fā)光二極管
0453)鎵的回收方法
0454)具有基于氮化鎵的輻射外延層序列的發(fā)光二極管芯片及其制造方法
0455)氮化鎵熒光體、其制造方法及使用該熒光體的顯示裝置
0456)鍺酸鎵鍶壓電晶體的坩堝下降法生長(zhǎng)方法
0457)大尺寸砷化鎵單晶結(jié)構(gòu)的缺陷檢測(cè)方法
0458)一種生長(zhǎng)室和氮化鎵體材料生長(zhǎng)方法
0459)砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型贗配高電子遷移率晶體管柵制作工藝
0460)一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法
0461)垂直的氮化鎵基發(fā)光二極管及其制造方法
0462)微臺(tái)面結(jié)構(gòu)的銦鎵砷線列探測(cè)器
0463)非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
0464)銅銦鎵的硒或硫化物半導(dǎo)體薄膜材料的制備方法
0465)垂直氮化鎵半導(dǎo)體器件和外延襯底
0466)磷酸鎵晶體的助熔劑生長(zhǎng)法
0467)高亮度氮化銦鎵鋁發(fā)光二極管及其制造方法
0468)導(dǎo)電和絕緣準(zhǔn)氮化鎵基生長(zhǎng)襯底
0469)高銦組分鎵砷/銦鎵砷量子阱結(jié)構(gòu)及其制備方法
0470)一種檢測(cè)氮化鎵基材料局域光學(xué)厚度均勻性的方法
0471)磁性半導(dǎo)體鎵錳銻單晶熱平衡生長(zhǎng)方法
0472)氮化鎵半導(dǎo)體襯底及其制造方法
0473)一種氮化鎵基外延膜的制備方法
0474)一種改善氮化鎵功率晶體管散熱性能的方法
0475)結(jié)晶狀鎵磷酸鹽組合物
0476)得到鎵(*)提取鎵、銦、鍺酸性廢水綜合處理新技術(shù)
0478)在硅襯底上生長(zhǎng)無(wú)裂紋氮化鎵薄膜的方法
0479)銦鎵砷光電探測(cè)器制造的開(kāi)管鋅擴(kuò)散方法
0480)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體磊晶層結(jié)構(gòu)及其制造方法
0481)一種有機(jī)鎵豆芽粉與鈣制劑的組合物及其制備方法
0482)用橫向生長(zhǎng)制備氮化鎵層
0483)氮化鎵層在藍(lán)寶石基體上的懸掛外延生長(zhǎng)
0484)激光誘導(dǎo)下的氮化鎵P型有效摻雜制備方法
0485)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0486)用磁控濺射法在鎵砷襯底上外延生長(zhǎng)銦砷銻薄膜的方法
0487)具有氮化鎵基的輻射外延層的發(fā)光二極管芯片及制造方法
0488)氮化鎵類(lèi)化合物半導(dǎo)體等的干法刻蝕方法
0489)氮化鎵基發(fā)光二極管的垂直組件結(jié)構(gòu)及其制造方法
0490)三甲基鎵生產(chǎn)方法及設(shè)備
0491)從砷化鎵工業(yè)廢料中回收鎵和砷的方法
0492)一種采用新型助熔劑熔鹽法生長(zhǎng)氮化鎵單晶的方法
0493)單結(jié)銦鎵氮太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)及制作方法
0494)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0495)銦鎵砷光電探測(cè)器
0496)在硅襯底上制備銦鎵鋁氮薄膜及發(fā)光器件的方法
0497)兩步合成制備摻釹釓鎵石榴石單晶原料的方法
0498)一種生長(zhǎng)砷化鎵單晶的抽真空裝置
0499)氮化鎵透明導(dǎo)電氧化膜歐姆電極的制作方法
0500)高P型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長(zhǎng)方法
0501)在鎵砷襯底上生長(zhǎng)銦砷銻薄膜的液相外延生長(zhǎng)方法
0502)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體多層結(jié)構(gòu)及其制造方法
0503)改善氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵極肖特基性能的結(jié)構(gòu)
0504)多層外延砷化鎵的雙源法和裝置
0505)氧化鎵(*)制備銻化鎵基半導(dǎo)體器件用的化學(xué)腐蝕液體系
0507)提高鋁鎵氮材料質(zhì)量的方法
0508)氮化鎵系發(fā)光二極管
0509)PIN結(jié)構(gòu)氮化鎵基紫外探測(cè)器及其制作方法
0510)具有相反轉(zhuǎn)化的控制終點(diǎn)和形狀記憶效應(yīng)的鎳錳鎵合金
0511)往氮化鎵結(jié)晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
0512)一種用于制備稀土摻雜氮化鎵發(fā)光薄膜的方法和裝置
0513)磁力運(yùn)動(dòng)遠(yuǎn)望圖形砷化鎵半導(dǎo)體激光近視弱視治療儀
0514)形成氮化鎵器件和電路中接地通孔的方法
0515)從剛玉電弧爐冶煉煙塵中提取金屬鎵的方法
0516)直徑2英寸非摻<111>磷化鎵單晶片拋光工藝
0517)_具有倒臺(tái)面支承結(jié)構(gòu)的銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質(zhì)量輸運(yùn)激光器
0518)銦鎵砷光電探測(cè)器
0519)牙體充填鎵合金材料
0520)砷化鎵襯底上的混合并質(zhì)外延
0521)碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件
0522)溶膠－凝膠法制氮化鎵納米多晶薄膜
0523)功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片
0524)從氧化鋁生產(chǎn)流程中提取鎵的離子交換法
0525)一種硅酸鎵銻基壓電單晶
0526)改進(jìn)砷化鎵晶片表面質(zhì)量的方法
0527)光學(xué)讀出的氮化鎵基單量子阱超聲波傳感器
0528)用液體(*)基于氮化鎵半導(dǎo)體的紫外線光檢測(cè)器
0530)低碳鏈烴芳構(gòu)化用鎵、鋅、鉑改性HZSM(*)生長(zhǎng)低位錯(cuò)非摻雜半絕緣砷化鎵單晶的裝置
0532)硝酸鎵的制備方法
0533)一種照明用氮化鎵基發(fā)光二極管器件
0534)磷化銦和砷化鎵材料的直接鍵合方法
0535)氮化鎵單晶襯底及其制造方法
0536)透可見(jiàn)和中紅外的鍺鎵酸鹽玻璃
0537)一種照明用氮化鎵基發(fā)光二極管器件
0538)內(nèi)圓切片機(jī)切割水平砷化鎵單晶片的工藝
0539)電解—結(jié)晶聯(lián)合法生產(chǎn)高純鎵
0540)氮化鎵基激光器倒裝用熱沉的制作方法
0541)垂直溫梯法生長(zhǎng)鋁酸鋰和鎵酸鋰晶體
0542)砷化鎵/鋁鎵砷紅外量子阱材料峰值響應(yīng)波長(zhǎng)的檢測(cè)方法
0543)薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學(xué)器件及其制備方法
0544)釔鎵石榴石基陶瓷材料及其制備方法
0545)銦鎵砷/銦鋁砷耦合量子點(diǎn)紅外探測(cè)器及其制備方法
0546)銦鎵氮薄膜的快速填埋生長(zhǎng)方法
0547)塊狀單晶含鎵氮化物及其應(yīng)用
0548)從氧化鋁生產(chǎn)流程中提取金屬鎵的方法
0549)在平板玻璃上沉積氧化鎵涂層的方法
0550)磷化鎵發(fā)光二極管電極制備工藝
0551)一種從高鋁粉煤灰中提取二氧化硅、氧化鋁及氧化鎵的方法
0552)砷化銦和砷化鎵的納米結(jié)構(gòu)及其制作方法
0553)氮化鎵類(lèi)半導(dǎo)體元件及其制造方法
0554)一種碘鎵燈
0555)砷化鎵、磷化鎵襯底干處理方法
0556)氮化鎵系Ⅲ(*)減少磷酸鎵壓電晶體單元含水量的方法、裝置及按此方法生產(chǎn)的晶體單元
0558)制作氮化鎵半導(dǎo)體元件中劈裂鏡面的方法
0559)白光半導(dǎo)體光源及鑭鎵硅酸鹽基質(zhì)的熒光粉及其制作方法
0560)磷化鎵晶片納米級(jí)超光滑加工工藝
0561)鎵砷/鋁鎵砷甚長(zhǎng)波量子阱紅外探測(cè)器
0562)一種磷化鎵晶片雙面拋光方法
0563)具有增強(qiáng)發(fā)光亮度的氮化鎵發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
0564)具有緩沖電極結(jié)構(gòu)的氮化鎵半導(dǎo)體芯片
0565)反射式銦鎵砷陷阱輻射探測(cè)器
0566)窄條選擇外延技術(shù)制作鋁銦鎵砷掩埋脊波導(dǎo)激光器及方法
0567)藥物鎵組合物和方法
0568)氮化鎵單晶膜的制造方法
0569)氮化鎵薄膜制備技術(shù)及專(zhuān)用裝置
0570)一種水平摻鉻半絕緣砷化鎵晶體的生長(zhǎng)設(shè)備
0571)雙摻鉻鐿釓鎵石榴石自調(diào)Q激光晶體及其生長(zhǎng)方法
0572)氮化鎵系發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及其制造方法
0573)超寬帶砷化鎵單片數(shù)字、模擬移相器
0574)光輻射加熱金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積氮化鎵生長(zhǎng)方法與裝置
0575)基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件
0576)氧化鎵(*)石英基鉍鎵鉺鋁共摻光纖及其制作方法
0578)氮化鎵外延層的制造方法
0579)超高純金屬鎵的制備方法
0580)氮化鎵系列化合物半導(dǎo)體元件
0581)背孔結(jié)構(gòu)氮化鎵基發(fā)光二極管的制作方法
0582)硫化鎵玻璃
0583)砷化鎵表面清潔方法
0584)垂直基于氮化鎵的發(fā)光二極管
0585)一種含鎵、銦、鎳和鈰的無(wú)鎘銀釬料
0586)激光誘導(dǎo)下的氮化鎵P型歐姆接觸制備方法
0587)一種硝酸鎵的制備方法
0588)適用于開(kāi)管鎵擴(kuò)散石英管的制造工藝
0589)提高氧化鋁/砷化鎵分布布拉格反射鏡界面質(zhì)量的方法
0590)一種提高氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法
0591)一種氮化鎵基半導(dǎo)體光電器件的制作方法
0592)一種銻化鎵納米半導(dǎo)體溶劑熱共還原制備方法
0593)無(wú)鎘銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池緩沖層薄膜的制備方法
0594)一種用于氮化鎵外延生長(zhǎng)的復(fù)合襯底
0595)用于制造化合物半導(dǎo)體的高純度鎵的純化方法
0596)橫向外延生長(zhǎng)高質(zhì)量氮化鎵薄膜的方法
0597)在納米棒的氧化鋅上生長(zhǎng)無(wú)支撐的氮化鎵納米晶的方法
0598)銦鎵鋁氮發(fā)光器件
0599)降低氮化鎵單晶膜與異質(zhì)基底間應(yīng)力的方法
0600)用于制造化合物半導(dǎo)體的高純度鎵及其純化方法和裝置
0601)使用多導(dǎo)電層作為P型氮化鎵歐姆接觸的透明電極結(jié)構(gòu)
0602)含鎵、銦和稀土釹及鈰的無(wú)鎘銀釬料
0603)在硅襯底上制備高質(zhì)量銦鎵鋁氮材料的方法
0604)用于合成氮化鎵粉末的改進(jìn)的系統(tǒng)和方法
0605)砷化鎵基增強(qiáng)/耗盡型膺配高電子遷移率晶體管材料
0606)用于氮化鎵材料制備工藝的輻射式加熱器
0607)一種鎳錳鈷鎵高溫形狀記憶合金及其制備方法
0608)含鎵的鋁硅酸鹽型催化劑在每分子具有5～7個(gè)碳原子的輕餾分的芳構(gòu)化反應(yīng)中的應(yīng)用
0609)氮化鎵(GaN)類(lèi)化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
0610)一種P型磷化鎵半導(dǎo)體材料及其制備方法
0611)提高氮化鎵材料載流子遷移率的方法
0612)砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道溫度測(cè)試方法
0613)氮化鎵基藍(lán)光發(fā)光二極管
0614)氮化鎵陶瓷體的制備方法
0615)粉末或燒結(jié)形式的LaMO3型化合物,其中M為鋁、鎵或銦,其制備方法及其作為氧導(dǎo)體的應(yīng)用
0616)溶解法自氧化鋁生產(chǎn)中回收鎵
0617)直流到50千兆赫低相移多功能砷化鎵微波單片電調(diào)衰減器
0618)砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法
0619)氮化鎵基高亮度高功率藍(lán)綠發(fā)光二極管芯片
0620)氮化鎵基可見(jiàn)/紫外雙色光電探測(cè)器
0621)單晶氮化鎵基板及其生長(zhǎng)方法與制造方法
0622)氮化鎵晶體的制備方法
0623)氮化鎵基發(fā)光二極管芯片及其制作方法
0624)由三價(jià)銩激活的發(fā)光鎵酸鑭和備有它的熒光屏及其陰極射線管
0625)自組織砷化銦/砷化鎵盤(pán)狀量子點(diǎn)材料的制作方法
0626)氮化鎵結(jié)晶的制造方法
0627)銦鎵砷線列紅外焦平面探測(cè)器
0628)從鎵酸鈉溶液中回收硫化鈉
0629)采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強(qiáng)光電探測(cè)器及制作方法
0630)氮化鎵基發(fā)光二極管及其制造方法
0631)可諧調(diào)能量和脈沖頻率的運(yùn)動(dòng)圖形砷化鎵激光弱視矯治儀
0632)從氧化鋁生產(chǎn)過(guò)程的循環(huán)母液中萃取鎵的工藝
0633)高純度烷基鎵的制備
0634)氮化鎵晶體襯底及其制造方法
0635)異質(zhì)外延生長(zhǎng)的氮化鎵晶體的位錯(cuò)密度測(cè)定方法
0636)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/鉑/金的歐姆接觸系統(tǒng)
0637)氮化鎵及其化合物半導(dǎo)體的橫向外延生長(zhǎng)方法
0638)一種制備納米鎵酸鎂的新方法
0639)具有無(wú)鎵層的III族氮化物發(fā)光器件
0640)氮化鎵半導(dǎo)體裝置的封裝
0641)從拜耳液中萃取并提純鎵的方法
0642)獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置
0643)磷化銦基磷化銦/銦鎵砷銻/磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
0644)射頻等離子體分子束外延生長(zhǎng)氮化鎵的雙緩沖層工藝
0645)氮化鎵基發(fā)光二極管芯片
0646)一種改變氫化物氣相外延法生長(zhǎng)的氮化鎵外延層極性的方法
0647)高強(qiáng)度彈性電接觸鈀銀銅鎵合金
0648)橋式N電極型氮化鎵基大管芯發(fā)光二極管
0649)一種用剛玉爐渣低硅鐵生產(chǎn)金屬鎵的裝置
0650)用鎵對(duì)不良肝臟病癥的治療和預(yù)防
0651)羥基鎵酞菁化合物,其制備方法和用這種化合物的電照相感光元件
0652)一種用于砷化鎵晶片的拋光液及其制備方法
0653)一種鋅鎵氧化物陶瓷靶材及其制備方法和應(yīng)用
0654)基于氮化鎵的裝置和制造方法
0655)氮化鎵基藍(lán)光激光器的制作方法
0656)氮化鎵系Ⅲ(*)高線性度砷化鎵霍爾器件的制備工藝
0658)氮化鎵基高單色性光源陣列
0659)氮化鎵序列的復(fù)合半導(dǎo)體發(fā)光器件
0660)一種生長(zhǎng)長(zhǎng)尺寸半絕緣砷化鎵單晶的裝置
0661)用于高質(zhì)量同質(zhì)外延的連位氮化鎵襯底
0662)一種高發(fā)光效率的氮化鎵系列發(fā)光二極管及其制造方法
0663)應(yīng)用于基于氮化鎵材料的包封退火方法
0664)氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法
0665)一種小體積高亮度氮化鎵發(fā)光二極管芯片的制造方法
0666)基于堿土金屬硫代鎵酸鹽的高效磷光體
0667)氮化鎵基發(fā)光二極管及其制造方法
0668)鈮酸鎵鑭系列納米粉體的制備方法
0669)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件及其制作方法
0670)一種高純鎵的制備方法
0671)用于銦鎵砷/磷化銦平面PIN光電探測(cè)器芯片制作的外延片結(jié)構(gòu)
0672)單晶氮化鎵基板及其生長(zhǎng)方法與制造方法
0673)單溫區(qū)開(kāi)管擴(kuò)鎵生產(chǎn)晶閘管工藝
0674)氮化鎵基半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法
0675)一種可調(diào)制帶隙寬度的鎵銦氧化物薄膜及其制備方法
0676)氮化鎵系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件及其窗戶(hù)層結(jié)構(gòu)
0677)砷化鎵襯底上的多層變形緩沖層的制作方法
0678)一種氮化鎵單晶的熱液生長(zhǎng)方法
0679)一種開(kāi)管鋁鎵擴(kuò)散工藝
0680)I I I族氮化物半導(dǎo)體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導(dǎo)體、基于氧化鎵的化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件、以及使用半導(dǎo)體發(fā)光器件的光源
0681)稀土或鎵的加成組合物、其制備方法和作為催化劑的用途
0682)砷化鎵光接收模塊
0683)適用于氮化鎵器件的鋁/鈦/鋁/鈦/金歐姆接觸系統(tǒng)
0684)導(dǎo)電的非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
0685)倒裝氮化鎵基發(fā)光二極管芯片的制作方法
0686)銅銦鎵和硒或硫化物太陽(yáng)能電池
0687)一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管
0688)特別用于濺射靶、管狀陰極等的制造的基于銅(*)一種鎳錳銅鎵高溫形狀記憶合金及其制備方法
0690)基于氮化鎵鋁的多波段紫外輻照度測(cè)量裝置
0691)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體器件及其制作方法
0692)三甲基鎵制備和提純方法
0693)一種制作氮化鎵基激光器管芯的方法
0694)一種無(wú)損檢測(cè)磷化銦與砷化鎵基材料直接鍵合質(zhì)量的方法




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