非揮發(fā)性存儲器技術資料-揮發(fā)性存儲器-揮發(fā)性存儲-非揮發(fā)性動態(tài)-非揮發(fā)性存儲器-非揮發(fā)性電阻式類資料（198元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：198元；資料（光盤）編號：F150844
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《非揮發(fā)性存儲器資料》包括專利技術全文資料149份。
0001)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法

0011)非揮發(fā)性存儲器器件結構
0012)非揮發(fā)性存儲器寫入過程的位元開關壓降補償
0013)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0014)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0015)非揮發(fā)性存儲器的寫入方法
0016)一種制作金屬納米晶非揮發(fā)性存儲器的方法
0017)非揮發(fā)性存儲器電路
0018)在計算機主存儲器建立非揮發(fā)性存儲空間的方法和計算機核心系統(tǒng)
0019)磁盤驅動器中控制非揮發(fā)性存儲器的方法和裝置
0020)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0021)非揮發(fā)性存儲器存取系統(tǒng)及其循環(huán)使用存取空間方法
0022)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法以及其操作方法
0023)浮置柵極與非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0024)非揮發(fā)性存儲器設定值加載方法與其存儲器裝置
0025)防止天線效應的非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0026)應用在非揮發(fā)性分離柵存儲器的寫入操作電路及方法
0027)與非門型非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0028)非揮發(fā)性半導體存儲器件
0029)具有多重閘極絕緣層的非揮發(fā)性存儲器組件
0030)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0031)非揮發(fā)性存儲器結構及其制造方法
0032)雙位元非揮發(fā)性存儲器的結構與制造方法
0033)動態(tài)調整非揮發(fā)性存儲器的冗余區(qū)的方法及其相關裝置
0034)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0035)包括一個電阻器和一個二極管的非揮發(fā)性存儲器
0036)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0037)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0038)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0039)非揮發(fā)性存儲器的啟始電壓的重置方法
0040)非揮發(fā)性存儲器陣列結構
0041)非揮發(fā)性存儲器的結構及其操作方法
0042)自我對準非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0043)非揮發(fā)性存儲器的寫入方法
0044)差分浮柵非揮發(fā)性存儲器
0045)非揮發(fā)性半導體存儲器件
0046)非揮發(fā)性存儲器單元
0047)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0048)非揮發(fā)性存儲器元件及其制造方法與操作方法
0049)非揮發(fā)性存儲器、非揮發(fā)性存儲器陣列及其制造方法
0050)內置非揮發(fā)性存儲器芯片的測試模式實現(xiàn)方法
0051)用長壽命非揮發(fā)性存儲芯片提高內部或外部存儲器壽命
0052)與時間相關信息寫入電子裝置的非揮發(fā)性存儲器的方法及其裝置
0053)具有P型浮置柵極的非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0054)用長壽命非揮發(fā)性存儲芯片提高內部或外部存儲器使用壽命
0055)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0056)具多個浮置柵及一溝道連接區(qū)域的非揮發(fā)性存儲器
0057)制造雙層多晶硅可改寫非揮發(fā)性存儲器的方法
0058)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0059)利用碳納米管設計的非揮發(fā)性隨機存儲器及制備方法
0082)非揮發(fā)性存儲器及其操作方法
0092)非揮發(fā)性存儲器的操作方法
0093)非揮發(fā)性半導體存儲器及其制作方法
0094)基于納米異質結構的非揮發(fā)性浮柵存儲器
0095)形成嵌合式非揮發(fā)性存儲器的方法
0096)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法以及其操作方法
0097)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0098)半導體結構與非揮發(fā)性存儲器的結構及制造方法
0099)一種具有平坦式區(qū)塊選擇晶體管的高密度掩模式非揮發(fā)性存儲器陣列結構
0100)形成高密度非揮發(fā)性存儲器編碼的掩模及方法
0101)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0102)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0103)形成具有鑲嵌式浮置柵極的非揮發(fā)性存儲器的方法
0104)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0105)高速非揮發(fā)性存儲器裝置
0106)非揮發(fā)性存儲器結構及其制造方法
0107)非揮發(fā)性存儲器的制造方法
0108)具有碳納米管結構的非揮發(fā)性隨機存儲器
0109)非揮發(fā)性存儲器的損耗平衡方法
0110)非揮發(fā)性存儲器存取系統(tǒng)及其存取方法
0111)存取PC與X(*)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0113)非揮發(fā)性存儲器的寫入方法
0114)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0115)非揮發(fā)性動態(tài)隨機存取存儲器
0116)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0117)制造非揮發(fā)性存儲器晶體管的方法
0118)非揮發(fā)性存儲器的結構及其制造方法
0119)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0120)使用金屬接觸板的嵌入式非揮發(fā)性存儲器
0121)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0122)延長非揮發(fā)性存儲器使用壽命的裝置及方法
0123)防止嵌入式非揮發(fā)性存儲器漏電流的方法
0124)半導體元件與非揮發(fā)性存儲器的制作方法
0125)用于非揮發(fā)性存儲器電路的電荷泵
0126)平面浮動柵的制造方法及含有它的非揮發(fā)性存儲器元件
0127)非揮發(fā)性集成鐵電薄膜存儲器
0128)一種非揮發(fā)性存儲器結構及其制造方法
0129)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0130)用長壽命非揮發(fā)性存儲芯片提高內或外部存儲器使用壽命
0131)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0132)非揮發(fā)性存儲器封裝及從一非揮發(fā)性存儲器陣列讀取被儲存的數(shù)據(jù)的方法
0133)非揮發(fā)性存儲器及其相關臨限電壓驗證方法與半導體裝置
0134)一種提高非揮發(fā)性存儲器數(shù)據(jù)擦除速度的方法
0135)多功能非揮發(fā)性存儲器
0136)用于制造非揮發(fā)性電阻式隨機存儲器的薄膜材料及方法
0137)非揮發(fā)性存儲器與其制作方法
0138)無溝槽隔離轉角的非揮發(fā)性存儲器結構
0139)一種用于非揮發(fā)性存儲器的平衡對稱式讀出放大電路
0140)驅動非揮發(fā)性動態(tài)隨機存取存儲器的裝置以及方法
0141)非揮發(fā)性存儲器的區(qū)塊狀態(tài)記錄裝置及其記錄方法
0142)多階非揮發(fā)性存儲器及其制造方法與操作方法
0143)非揮發(fā)性存儲器的抹除方法
0144)一種納米晶浮柵非揮發(fā)性存儲器及其制作方法
0145)非揮發(fā)性存儲器與浮置柵極層的制造方法
0146)非揮發(fā)性存儲器的抹除方法
0147)非揮發(fā)性存儲器的低氫濃度電荷捕獲層結構及其形成方法
0148)非揮發(fā)性存儲器及其制造方法
0149)與非非揮發(fā)性二位存儲器及其制造方法



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