介電體技術資料-電介質(zhì)電容器-有機電介質(zhì)-介電液體-介體天線-包括電介質(zhì)層類資料（268元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：268元；資料（光盤）編號：F150278
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《介電體資料》包括專利技術全文資料390份。
0001)充壓介電氣體吹弧的高壓斷路器

0011)基于電流變液體的壓力介質(zhì)馬達
0012)集成多柵極電介質(zhì)成分和厚度的半導體芯片及其制造方法
0013)旋涂、可光致圖案形成的層間介電材料的應用以及使用這種材料的中間半導體器件結(jié)構(gòu)
0014)電介體膜及其形成方法，使用其的半導體裝置及制造方法
0015)帶有介電阻礙電極的氣體放電燈
0016)低電介絕緣層的汽相淀積方法、利用該低電介絕緣層的薄膜晶體管及其制造方法
0017)介電流體和制造它的方法
0018)以液體為導電介質(zhì)使發(fā)光二極管發(fā)光的發(fā)光杯
0019)用于半導體器件的電介質(zhì)層及其制造方法
0020)具有異向性高介電值柵極介電構(gòu)造的晶體管組件
0021)用于PEM燃料電池的低成本氣體擴散介質(zhì)
0022)等離子體顯示板用電介質(zhì)材料
0023)形成半導體存儲器的電荷捕捉介電層的方法
0024)流體介質(zhì)電動批量調(diào)節(jié)儀
0025)用非電介鋅鉻酸鹽涂復泵體、泵蓋及其工藝
0026)等離子體顯示裝置及具有集中電場區(qū)域的介電層的制作方法
0027)用于較低EOT等離子體氮化的柵電介質(zhì)的兩步后氮化退火
0028)固體電介質(zhì)復介電常數(shù)測量方法
0029)低介電常數(shù)薄膜的灰化/蝕刻損傷的抵抗性以及整體穩(wěn)定性的改進方法
0030)以低介電常數(shù)為絕緣埋層的絕緣層上半導體結(jié)構(gòu)及其方法
0031)制造具有高介電常數(shù)柵極電介質(zhì)的半導體器件的方法
0032)差分饋電介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體裝置
0033)無氣體擴散介質(zhì)的質(zhì)子交換膜燃料電池堆
0034)半導體組件內(nèi)層介電層與半導體組件及其制造方法
0035)使用有機電介質(zhì)的有機場效應晶體管
0036)有機載熱體為介質(zhì),多組真空超導散熱器串聯(lián)電采暖
0037)一種低介電常數(shù)納米微波介質(zhì)陶瓷粉體的制備方法
0038)使用超薄金屬氧化物柵極介電層的有機薄膜晶體管及其制造方法
0039)利用分開的介電浮柵的新型易收縮非易失性的半導體存儲單元及其制造方法
0040)介體穩(wěn)定的試劑組合物及其用于電化學分析物測定的方法
0041)形成ONO型記憶胞與高低壓晶體管的閘介電層的方法
0042)電場輔助碳納米管在液體介質(zhì)中的分散方法
0043)高介電常數(shù)介電層的形成方法、半導體裝置及其制造方法
0044)單室微濾膜自介體耦合型微生物燃料電池
0045)金屬顆粒和/或合金顆粒與液體電解介質(zhì)組成的混合物及其制備方法
0046)介質(zhì)阻擋放電等離子體活性炭原位再生方法及裝置
0047)不具核心介電層的芯片封裝體及其堆疊型芯片封裝結(jié)構(gòu)
0048)氣體介質(zhì)鋁電解槽余熱回收裝置
0049)介質(zhì)膜構(gòu)成體和利用該介質(zhì)膜構(gòu)成體的壓電致動器及油墨噴頭
0050)作為燃料電池用氣體擴散介質(zhì)的丙烯酸類纖維粘合的碳纖維紙
0051)礦物、微體化石、粉末介質(zhì)材料的射頻高壓介電分離技術
0052)多樣品微流體介電泳分離裝置
0053)金屬薄膜及其制造方法、電介質(zhì)電容器及其制造方法及半導體裝置
0054)制造有高介電常數(shù)柵極電介質(zhì)半導體器件的選擇刻蝕工藝
0055)電容器用薄膜電介體及其制備方法
0056)層疊式電極防漏電流體介質(zhì)加熱裝置
0057)表面包覆有微介孔二氧化硅的電氣石與二氧化鈦顆粒的復合體及其制法和用途
0058)準周期結(jié)構(gòu)的介電體超晶格材料、設置制備方法
0059)介質(zhì)阻擋放電等離子體噴流裝置
0060)介電層與薄膜晶體管
0061)整合具有不同功函數(shù)的金屬以形成具有高K柵極電介質(zhì)及相關結(jié)構(gòu)的互補金屬氧化物半導體柵極的方法
0062)形成高介電常數(shù)薄膜的方法以及形成半導體器件的方法
0063)一種介體電化學酶電極及其制備方法
0064)一種閘極介電層與改善其電性的方法及金氧半電晶體
0065)測量液體介質(zhì)有關電學參量的傳感器
0066)利用熱處理制造薄介電層的方法及半導體器件
0067)利用多個分散余熱熱源、多種余熱載體介質(zhì)發(fā)電的方法及裝置
0068)具有多柵電介質(zhì)層的半導體器件及其制造方法
0069)一種測量單原子氣體介電系數(shù)的裝置
0070)結(jié)合互補金屬氧化物半導體集成電路的NMOS和PMOS晶體管使用不同的柵介質(zhì)
0071)一種大氣壓介質(zhì)阻擋輝光放電等離子體發(fā)生裝置
0072)環(huán)烷烴基油、由環(huán)烷烴基油制得的環(huán)烷烴基介電液體及其制備方法
0073)增加等離子體增強化學氣相沉積電介質(zhì)薄膜壓應力的方法
0074)強電介質(zhì)膜、強電介質(zhì)電容器、強電介質(zhì)存儲器、壓電元件、半導體元件、強電介質(zhì)膜的制造方法、和強電介質(zhì)電容器的制造方法
0075)介電體、壓電體、噴墨頭、噴墨記錄裝置及噴墨頭制造方法
0076)由鋁硅酸鹽前體形成的低k值介電層
0077)電介質(zhì)體天線、天線安裝基板以及移動式通信裝置
0078)以高源和低轟擊等離子體提供高蝕刻速率的電介質(zhì)蝕刻方法
0079)錐齒形介質(zhì)阻擋放電等離子體化學反應器
0080)具有高k柵電介質(zhì)和金屬柵電極的半導體器件
0081)防硫化晶體電介質(zhì)及其生產(chǎn)方法
0082)制造具有高K柵極介電層和金屬柵電極的半導體器件的方法
0083)用晶片接合的方法來制造半導體(*)改善低k電介質(zhì)粘附性的等離子體處理方法
0085)用于制造介于兩種或多種導體結(jié)構(gòu)之間的各導電連接的方法
0086)一種大氣壓介質(zhì)阻擋輝光放電等離子體發(fā)生方法及裝置
0087)在具有金屬圖案的半導體基底形成堆疊式介電層的方法
0088)具有高介電常數(shù)柵極絕緣層和與襯底形成肖特基接觸的源極和漏極的晶體管
0089)具有柔性的介電層的等離子體尋址裝置
0090)使用低介電常數(shù)材料膜的半導體器件及其制造方法
0091)半導體內(nèi)連線結(jié)構(gòu)與避免其覆蓋層和介電層間脫層的方法
0092)高介電性彈性體組合物及電介體天線
0093)等離子體排放裝置中的介電部件的熱控制
0094)用數(shù)字液體流量計改進低介電常數(shù)介質(zhì)膜的初始層的方法
0095)電介質(zhì)涂覆的電極、等離子體放電處理裝置和形成薄膜法
0096)半導體組件的內(nèi)層介電層及半導體組件
0097)介電性樹脂發(fā)泡體及使用該發(fā)泡體的用于無線電波的透鏡
0098)電介質(zhì)分離型半導體裝置
0099)聚酰胺酯前體相轉(zhuǎn)化制備超低介電常數(shù)聚酰亞胺膜的方法
0100)強電介質(zhì)電容器及其制造方法以及半導體存儲裝置
0101)大電流雪崩和注入隧穿半導體(*)組合介電材料,使用該材料的固體器官模型及其生產(chǎn)方法
0103)介電體薄膜元件、壓電致動器、液體排出頭及其制造方法
0104)作為半導體器件中的層內(nèi)或?qū)娱g介質(zhì)的超低介電常數(shù)材料
0105)氣體擴散介質(zhì)和燃料電池
0106)高介電系數(shù)介質(zhì)與半導體構(gòu)成的耐壓層
0107)電流型雙介體基多酶生物傳感器及其應用方法
0108)形成穿過電介質(zhì)的金屬/半導體觸點的方法
0109)等離子體顯示屏或PALC顯示屏和用于制造包括介電層的所述顯示屏的方法
0110)前驅(qū)體組合物及制造方法、強電介質(zhì)膜的制造方法及應用
0111)合成介電液體的制備方法
0112)柵極介電層以及應用該柵極介電層的晶體管與半導體裝置
0113)改質(zhì)介孔二氧化硅粉體、生成低介電環(huán)氧樹脂與低介電聚亞酰胺樹脂的前驅(qū)溶液、低介電常數(shù)基板及其形成方法
0114)酶及微生物壓電傳感介體的光固定化方法
0115)在屏蔽的柵極場效應晶體管中形成多晶硅層間電介質(zhì)的結(jié)構(gòu)和方法
0116)具有高介電常數(shù)柵極介電層的半導體組件
0117)用非電介鋅鉻酸鹽涂復泵體、泵蓋
0118)表面印刷散熱膠連接介電層的半導體封裝結(jié)構(gòu)
0119)介質(zhì)阻擋放電等離子體熱絲化學氣相沉積的方法與裝置
0120)強電介體存儲器
0121)高k介電膜,及其形成方法和相關的半導體器件
0122)電介質(zhì)形成用玻璃及等離子體顯示板用電介質(zhì)形成材料
0123)用于制作具有高k柵介電層和金屬柵電極的半導體器件的方法
0124)使用高介電常數(shù)電介質(zhì)層的量子阱晶體管
0125)含低介電常數(shù)絕緣膜的半導體裝置的制造方法
0126)無膜和無介體的微生物燃料電池
0127)延遲電路、測試裝置、存儲介質(zhì)、半導體芯片、初始化電路及初始化方法
0128)用于等離子體顯示器的電介質(zhì)/間隔壁復合物及其制造方法
0129)含高介電常數(shù)絕緣膜的半導體設備和該設備的制造方法
0130)在半導體制造工藝中形成低K電介質(zhì)的方法
0131)降低半導體器件中有效介電常數(shù)的器件和方法
0132)介電材料和介電材料燒結(jié)體以及使用該陶瓷的布線板
0133)一種抗電磁輻射保護電磁記錄介質(zhì)及界面的防護包裝體
0134)以光學方式測量半導體器件的電介質(zhì)厚度的系統(tǒng)和方法
0135)電介體、絕緣電線、同軸電纜及電介體制造方法
0136)用于制作場效應晶體管的柵極電介質(zhì)的方法
0137)片式瓷介電容器的連體引線
0138)在中壓配電和變壓變電站中用于保持電介質(zhì)流體的安全槽;以及包括該槽的變電站
0139)預估具高介電柵極介電層的金絕半場效晶體管壽命的方法
0140)強電介質(zhì)存儲器、半導體裝置、強電介質(zhì)存儲器的制造方法以及半導體裝置的制造方法
0141)基于液體介質(zhì)的振動式靜電微型發(fā)電機及其陣列
0142)一種陶瓷介電體臭氧發(fā)生管
0143)液體或固體粉末物質(zhì)介電系數(shù)測試裝置及其測試與計算方法
0144)電極膜及其制造方法和強電介質(zhì)存儲器及半導體裝置
0145)測定液體電介系數(shù)用的電容式傳感器
0146)具有改善氣體吸收作用的電介質(zhì)組合物
0147)用于形成多組分介電薄膜的直接液體注入系統(tǒng)和方法
0148)氧化物電介質(zhì)元件的制造方法、采用該元件的存儲器及半導體裝置
0149)一種具有高k柵介質(zhì)層和硅化物柵電極的半導體器件的制造方法
0150)轉(zhuǎn)接口、共纜介質(zhì)、電力通訊一體化局域網(wǎng)及其組網(wǎng)方法
0151)具有不同阻擋特性的柵極電介質(zhì)的半導體器件
0152)具有高介電常數(shù)材料的半導體結(jié)構(gòu)
0153)電子部件、介電體陶瓷組合物及其制造方法
0154)介電液體電凈化裝置
0155)含藍色磷光體的介電阻抗放電的氣體放電燈
0156)一種短高壓脈沖介質(zhì)阻擋放電等離子體水處理方法和設備
0157)作為在半導體器件中的層內(nèi)和層間絕緣體的超低介電常數(shù)材料及其制造方法、以及包含該材料的電子器件
0158)向物體或介質(zhì)中提供電流的方法及裝置
0159)半導體硅襯底上氧化鋁介電薄膜硅離子注入腐蝕方法
0160)差分饋電介質(zhì)阻擋放電低溫等離子體裝置
0161)硅基組合物、低介電常數(shù)膜、半導體器件以及制造低介電常數(shù)膜的方法
0162)低K介電材料的接合焊盤和用于制造半導體器件的方法
0163)低粘度植物油基介電流體
0164)可減少串列式ATA分離式實體層介面訊號數(shù)的電路構(gòu)造及訊號編碼方法
0165)在半導體裝置中形成介電層的方法
0166)形成介電結(jié)構(gòu)的方法以及半導體結(jié)構(gòu)
0167)導電性組合物及導電**聯(lián)體、電容器及其制造方法、以及抗靜電涂料、抗靜電膜、抗靜電片、濾光器及光信息記錄介質(zhì)
0168)等離子體平面顯示面板中介電層的形成方法
0169)用于根據(jù)機械諧振器數(shù)據(jù)進行流體的密度、粘度、介電常數(shù)和電阻率的化學計量估計的方法和設備
0170)等離子體顯示器的電介質(zhì)層的制作方法
0171)Nb2O5(*)用等離子體處理改進包含高k層的柵極電介質(zhì)疊層的方法和系統(tǒng)
0173)陶瓷原料粉體及其制造方法、電介質(zhì)陶瓷組合物、電子部件和疊層陶瓷電容器
0174)液體介質(zhì)的過濾裝置及裝有這類裝置的電力電子設備
0175)高耐壓半導體集成電路裝置、電介質(zhì)分離型半導體裝置
0176)以低介電常數(shù)內(nèi)連線隔離的半導體芯片
0177)駐極[電介]體狀態(tài)的無紡織物及其制造方法
0178)半球形介電彈性體驅(qū)動器的制造方法
0179)介電/磁性復合吸波粉體的制備方法
0180)具有低介電常數(shù)絕緣膜的半導體器件及其制造方法
0203)具有柵極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)易失性存儲器的晶體管及其制造方法
0213)在隔離溝渠具有減少介電質(zhì)耗損的半導體元件及其制造方法
0214)包括高介電常數(shù)絕緣層的半導體器件及其制造方法
0215)具有在退火的高(*)具有低介電膜的半導體器件及其制造方法
0217)金屬氧化物介電薄膜的形成方法及半導體存儲裝置的制造方法
0218)強電介質(zhì)膜的形成方法以及半導體裝置
0219)等離子體處理室、電位控制裝置、方法、程序和存儲介質(zhì)
0220)以等離子體增強化學氣相沉積制造具低應力的低K值介電質(zhì)的低溫工藝
0221)在半導體器件上形成多孔介電材料層的方法及形成的器件
0222)排序二相介電薄膜及含有該膜的半導體器件
0223)能用低介電常數(shù)非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導體器件及其制備方法
0224)含有低K電介質(zhì)的半導體器件用的電子封裝材料
0225)方向可控的微流體介電泳顆粒分離裝置
0226)使用無氮介電蝕刻停止層的半導體元件及其制程
0227)具有在金屬氧化物介質(zhì)層中的電荷存儲納米晶體的集成電路器件柵結(jié)構(gòu)及其制造方法
0228)形成具有多層電介質(zhì)的溶液加工晶體管的方法
0229)具有高介電常數(shù)介質(zhì)層的半導體器件電容器的制造方法
0230)通過膠態(tài)分散體電紡絲制備納米纖維和介纖維的方法
0231)利用多層布線防止低介電常數(shù)膜剝離的半導體器件
0232)半導體基板上形成前金屬電介質(zhì)薄膜的方法
0233)一種介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生的低溫等離子體室內(nèi)空氣凈化方法
0234)電介質(zhì)分離型半導體裝置及其制造方法
0235)用于通過電磁高頻信號定位包圍在介質(zhì)中的物體的測量儀和方法
0236)介體的氫鹵酸電解
0237)流體介質(zhì)磁力電控閥
0238)電子半導體元器件在用于采用液態(tài)介質(zhì)處理半導體元器件的載體系統(tǒng)上的布局
0239)碳化硅半導體結(jié)構(gòu)上的層疊電介質(zhì)
0240)強電介質(zhì)半導體存儲器
0241)具有硫族化物介電涂層的臺面狀半導體發(fā)光器件
0242)用于半導體存儲器的多厚度電介質(zhì)
0243)在體硅襯底具有增強自對準介電區(qū)域的SOI半導體器件的制造方法
0244)超低強度電場網(wǎng)絡介導的向離體細胞內(nèi)遞送基因、蛋白質(zhì)和藥物
0245)一種交流氣體放電顯示屏的上下介質(zhì)基板的制備方法
0246)可電離氣體介質(zhì)器件中**電流的結(jié)構(gòu)和方法
0247)具有帶彈簧懸架的介電載體柵格的翹翹板式互連組件
0248)液體介質(zhì)鋁電解槽余熱回收裝置
0249)強電介體薄膜及其制造方法、強電介體存儲器、壓電元件
0250)強電介質(zhì)膜的形成方法、強電介質(zhì)存儲器、強電介質(zhì)存儲器的制造方法、半導體裝置及半導體裝置制造方法
0251)電介質(zhì)糊與等離子體顯示器的制造方法
0252)高靈敏度液體介電常數(shù)測量探頭
0253)用于制造在制成的半導體器件和電子器件內(nèi)用作層內(nèi)或?qū)娱g電介質(zhì)的超低介電常數(shù)材料的改進方法
0254)電介質(zhì)膜及其形成方法、半導體器件、非易失性半導體存儲器件及半導體器件的制造方法
0255)電泳實驗中紙膜介質(zhì)載體的點樣裝置
0256)電介質(zhì)濾波器及其制造方法和安裝它的安裝體
0257)強電介體薄膜的制造方法
0258)基于流體介電質(zhì)的可變電容器
0259)具有低介電常數(shù)的多孔硅質(zhì)膜和半導體裝置及涂料組合物
0260)電子部件封裝、非易失性強介電體存儲器、安裝機及方法
0261)柵介電層及半導體元件的制造方法
0262)具有低介電常數(shù)介電層的半導體元件的制造方法
0263)具有多介電層的等離子體顯示板
0264)利用電泳法制備等離子體顯示板介質(zhì)層的方法
0265)低介電氮化硅膜及其制造方法和半導體器件及其制造工藝
0266)形成介電膜的方法和利用該方法在半導體器件中形成電容器的方法
0267)淀積所選厚度的層間電介質(zhì)以在半導體片上形成總體最佳平面性
0268)一種介質(zhì)阻擋放電等離子體氣體凈化裝置
0269)食用級介電流體
0270)β”(*)半導體元件的多層內(nèi)介電層及其制造方法
0272)使駐極體過濾介質(zhì)充電的方法
0273)半導體器件的金屬前介電質(zhì)層
0274)超薄電介質(zhì)及其在有機場效應晶體管中的應用
0275)介電流體和制造它的方法
0276)先進的低介電常數(shù)有機硅等離子體化學汽相沉積膜
0277)用多面體分子倍半硅氧烷，形成半導體器件用層間電介質(zhì)膜的方法
0278)一種無介體微生物燃料電池
0279)用于低介電常數(shù)層間介質(zhì)薄膜的有機硅前體
0280)利用高頻電流的電介質(zhì)加熱生命體的方法和設備
0281)伴隨介電層形成阻擋層的半導體制造方法
0282)利用超薄介質(zhì)擊穿現(xiàn)象的半導體存儲器單元和存儲器陣列的編程方法及其電路
0283)駐極電介體化方法及駐極電介體化裝置
0284)通過使用雙有機硅氧烷前體制備低介電常數(shù)膜的方法
0285)凈化液體介質(zhì)用的電解裝置
0286)形成等離子顯示板用電介體的糊劑及玻璃粉末
0287)包含偶聯(lián)的電介質(zhì)層和金屬層的半導體器件、其制造方法和用于偶聯(lián)半導體器件中的電介質(zhì)層和金屬層的材料
0288)基于介質(zhì)上電潤濕的電控流體變焦透鏡
0289)混合半導體－電介質(zhì)線性調(diào)頻飽和吸收平面鏡
0290)介質(zhì)阻擋放電等離子體噴流裝置
0291)電腦用介面卡上、下殼體的改良結(jié)構(gòu)
0292)在半導體或電介質(zhì)晶片上制作的系統(tǒng)級封裝
0293)氣體介質(zhì)中的微細電火花沉積加工脈沖電源
0294)具有高k柵電介質(zhì)和金屬柵電極的半導體器件的制造方法
0295)形成具有雙層電介質(zhì)的晶體管的方法
0296)電介體陶瓷組合物和電子部件
0297)雙層介質(zhì)阻擋放電等離子體反應器
0298)介電體元件、壓電體元件、噴墨頭及其制造方法
0299)等離子顯示器面板的電介體用組合物、電介體用疊層體,以及電介體的形成方法
0300)一種制備電介質(zhì)陶瓷粉體的噴霧包覆方法及所得的產(chǎn)品
0301)堿性介質(zhì)中抗溺水氣體多孔電極的制備方法
0302)從包括銅和低K電介體的基片上除去抗蝕劑、蝕刻殘余物和氧化銅的方法
0303)介電凝膠組合物、這種介電凝膠組合物的制造方法以及包含用這種介電凝膠組合物浸漬過的絕緣體系的DC－電纜
0304)一種制造具有高k柵極電介質(zhì)的半導體器件的方法
0305)具有低介電常數(shù)的高熱導層的半導體組件的制造方法
0306)作為薄膜晶體管的介電層或平面化層的低溫溶膠(*)電介質(zhì)瓷體組合物、電子部件及其制造方法
0308)雙層多孔性介電層和半導體介電層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的制造方法
0309)床用人體介質(zhì)電容傳感器
0310)供封裝件固接于印刷電路板的彈性介質(zhì)體
0311)鈦酸鋇陶瓷電容器介質(zhì)的鈦位先驅(qū)體摻雜改性方法
0312)導體(*)液體介質(zhì)鋁電解槽余熱回收裝置及其回收方法
0314)介電體裝載天線
0315)具有三維光子帶隙的周期金屬/介電結(jié)構(gòu)光子晶體及制備方法
0316)介電彈性體材料及其制備方法
0317)半導體中介片及其在電子封裝上的應用
0318)在半導體元件中蝕刻介電材料的方法
0319)具有高介電常數(shù)陶瓷材料芯體的多組件LTCC基材及其開發(fā)方法
0320)形成半導體器件的金屬前介電質(zhì)層的方法
0321)介電層結(jié)構(gòu)和具有所述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示面板
0322)于晶體管工藝中整合高K柵極電介質(zhì)的方法
0323)形成介電薄膜的方法和用于實施所述方法的新的前體
0324)氧化物薄膜、強電介體薄膜的制造方法、強電介體元件
0325)具有用介電流體浸漬過的絕緣體系的電氣設備的制造方法
0326)低溫疊層共燒的介電陶瓷和鐵氧體及其制備方法
0327)在半導體/電介質(zhì)界面處具有晶體區(qū)域的非晶氧化物場效應晶體管
0328)導電性液晶材料、其制造方法、液晶組合物、液晶半導體元件和信息存儲介質(zhì)
0329)電介體諧振器、電介體濾波器及其發(fā)射接收器及通信裝置
0330)用介電氣體吹弧的高壓斷路器
0331)使用調(diào)幅射頻能量的柵極介電層的等離子體氮化方法和設備
0332)以液體為導電介質(zhì)使發(fā)光二極管發(fā)光的攪拌棒
0333)低介電常數(shù)膜的損傷修復方法、半導體制造裝置、存儲介質(zhì)
0334)以鈦酸鋇為主體的介電材料陶瓷體
0335)介電體用復合顆粒、超微顆粒復合樹脂顆粒、介電體形成用組合物及其用途
0336)面向人體介入式運動器件的電磁能量無線傳輸裝置
0337)產(chǎn)生低溫等離子體的電暈耦合介質(zhì)阻擋放電裝置
0338)空調(diào)系統(tǒng)中用液體作媒介的電熱交換器組
0339)存儲介質(zhì)上用于交互式電視錄制和重放的字體庫
0340)采用固體介質(zhì)儲熱的電暖器
0341)在半導體晶圓去除圓周邊緣的介電層的方法
0342)一種非連續(xù)體導電介質(zhì)吸波平板及制備方法
0343)低介電常數(shù)半導體器件及其制造方法
0344)形成光敏電介體的組合物,以及利用該組合物的貼花薄膜、電介體和電子元件
0345)一種使用超低介電材料的半導體制造工藝方法
0346)具有改進的柵電介質(zhì)表面的有機薄膜晶體管
0347)強介電體記憶裝置及其驅(qū)動方法、以及驅(qū)動電路
0348)氧化物磁性材料、鐵氧體顆粒、燒結(jié)磁體、粘結(jié)磁體、磁記錄介質(zhì)和電機
0349)介電體濾波器
0350)低K金屬前電介質(zhì)半導體結(jié)構(gòu)
0351)由摻雜硅的非晶體氫化碳所構(gòu)成的電容器電介質(zhì)
0352)具有混合電介質(zhì)層的半導體集成電路器件及其制造方法
0353)介電體諧振裝置、介電體濾波器和介電體雙工器
0354)半導體裝置的具有低介電常數(shù)的絕緣層的淀積方法
0355)彩屏電介質(zhì)濾色膜或彩屏光導體濾色膜的彩色靜電照相法
0356)陶瓷及其制造方法、以及電介質(zhì)電容器、半導體裝置及元件
0357)具有閘極堆疊介電層的半導體內(nèi)存組件的制作方法
0358)微波等離子體處理裝置、電介質(zhì)窗制造方法和微波等離子體處理方法
0359)具有高介電常數(shù)柵絕緣體的ULSIMOS
0360)激光加工用電介質(zhì)基板與其加工方法及半導體組件與其制造方法
0361)電介體、絕緣電線、同軸電纜及電介體制造方法
0362)具有被覆蓋以介電層的電極的等離子體顯示面板
0363)強電介質(zhì)膜層疊體、強電介質(zhì)存儲器、壓電元件
0364)充氣式介電彈性體半球形驅(qū)動器
0365)高密度等離子體化學氣相沉積制造介電防反射涂層的方法
0366)包括超晶格電介質(zhì)接口層的半導體器件
0367)強電介質(zhì)膜、強電介質(zhì)電容器、強電介質(zhì)存儲器、壓電元件、半導體元件
0368)一種介質(zhì)阻擋放電等離子體廢氣廢液凈化裝置
0369)以半導體電熱膜管為加熱元件的腐蝕性介質(zhì)動態(tài)加熱系統(tǒng)
0370)電介質(zhì)體天線、天線安裝基板以及移動式通信裝置
0371)用于保護以液體介質(zhì)絕緣的三相配電變壓器且包括相隔離開關的保護系統(tǒng)
0372)反向標注裝置、掩模版圖校正裝置、反向標注方法、程序、記錄介質(zhì)、制造半導體集成電路的方法
0373)介電體超晶格的光學濾波器及其制作方法
0374)包括介電泳液體的微鏡器件
0375)電介質(zhì)隔離型半導體裝置及其制造方法
0376)有著一ONO上介電層的非易失性存儲器半導體元件
0377)含介質(zhì)氣體電子設備用的吸濕裝置
0378)大氣壓介質(zhì)阻擋放電等離子體*
0379)低相對介電常數(shù)的SiOx膜、制造方法和使用它的半導體裝置
0380)形成介電層的裝置及制造等離子體顯示面板的方法
0381)紙膜介質(zhì)載體用恒溫電泳盒
0382)一種介質(zhì)阻擋放電等離子體水處理設備
0383)去除高密度等離子體介電層缺陷的方法
0384)薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光學膜、介電體覆蓋電極及等離子體放電處理裝置
0385)MFS型場效應晶體管及其制造方法、強電介質(zhì)存儲器及半導體裝置
0386)對互補金屬氧化物半導體集成電路的NMOS和PMOS晶體管使用不同柵電介質(zhì)
0387)一種以含氟硅玻璃作為介電質(zhì)的半導體后端連線
0388)裝有包括多孔結(jié)構(gòu)電介質(zhì)薄膜的半導體器件及其制造方法
0389)低介電常數(shù)絕緣膜形成用材料、低介電常數(shù)絕緣膜、低介電常數(shù)絕緣膜的形成方法及半導體器件
0390)一種鈣銅鈦鑭氧介電陶瓷粉體的制備方法



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