存儲器晶體管技術(shù)資料-有機(jī)薄膜晶體管存儲器-是具有晶體管-結(jié)構(gòu)晶體管-場效晶體管-垂直晶體管類資料（198元/全套）選購時(shí)請記住本套資料（光盤）售價(jià)：198元；資料（光盤）編號：F150629
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《存儲器晶體管資料》包括專利技術(shù)全文資料105份。
0001)具有表面下臺階式浮柵的雙電可擦可編程只讀存儲器型存儲晶體管

0011)使用鐵電柵極場效應(yīng)晶體管的非易失性存儲器和制造方法
0012)具有以有機(jī)半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的晶體管及非易失性讀/存儲器胞元的半導(dǎo)體裝置
0013)6F2存取晶體管配置和半導(dǎo)體存儲器件
0014)包括高壓晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
0015)有超短柵特征的晶體管和存儲器單元及其制造方法
0016)一種堆疊薄膜晶體管非易失性存儲器件及其制造方法
0017)使用單晶體管的高密度半導(dǎo)體存儲單元和存儲器陳列
0018)具有作為開關(guān)單元的晶體管和二極管的非易失性存儲器
0019)包括一電阻器和一晶體管的非易失存儲器件
0020)存儲器件，晶體管，存儲單元，以及其制造方法
0021)制造非揮發(fā)性存儲器晶體管的方法
0022)具有垂直超薄體晶體管的開放位線動態(tài)隨機(jī)存儲器
0023)使用背側(cè)捕獲的可縮放納米晶體管和存儲器
0024)具有溝槽側(cè)壁晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
0025)具有鄰近驅(qū)動晶體管源極小區(qū)域的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
0026)單一晶體管型隨機(jī)存取存儲器的制造方法及其電容器結(jié)構(gòu)
0027)用碳納米管單電子晶體管和碳納米管晶體管設(shè)計(jì)的存儲器
0028)一種具有平坦式區(qū)塊選擇晶體管的高密度掩模式非揮發(fā)性存儲器陣列結(jié)構(gòu)
0029)背棚MOS晶體管及其制作方法和靜態(tài)隨機(jī)存儲器
0030)具有柵極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)易失性存儲器的晶體管及其制造方法
0031)以單一掩模組結(jié)合只讀元件的非易失性晶體管存儲器陣列
0032)用于DRAM存儲器的帶有垂直晶體管的寫入放大器/讀出放大器
0033)一種實(shí)現(xiàn)存儲器功能的場效應(yīng)晶體管及其制備方法
0034)利用反饋金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的抗單擊擾動的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器
0035)可逆相變電阻與晶體管合二為一的相變存儲器單元及制備方法
0036)刷新同溫度成比例的單晶體管存儲器的方法和結(jié)構(gòu)
0037)具有垂直型晶體管與溝槽電容器的存儲器裝置的制造方法
0060)自旋晶體管、可編程邏輯電路和磁存儲器
0070)新型動態(tài)隨機(jī)存取存儲器存取晶體管
0071)自旋注入場效應(yīng)晶體管、磁隨機(jī)存取存儲器和可重構(gòu)邏輯電路
0072)包括可切換電阻器和晶體管的非易失性存儲器單元
0073)基于自旋濾波器效應(yīng)的自旋晶體管和利用自旋晶體管的非易失存儲器
0074)三維薄膜晶體管式納米晶粒存儲器元件及其制法
0075)具有選擇晶體管的電可擦可編程只讀存儲器及其制造方法
0076)鐵電存儲器場效應(yīng)晶體管器件及其制作方法
0077)高密度氮化物只讀存儲器鰭形場效晶體管
0078)用于緊密間距存儲器陣列線的晶體管布局配置
0079)具有多個(gè)MOS晶體管的半導(dǎo)體存儲器件及其控制方法
0080)鐵電存儲器晶體管的制造方法
0081)使用垂直溝道晶體管的半導(dǎo)體存儲器件
0082)基于碳納米管單電子晶體管設(shè)計(jì)的單電子存儲器及制法
0083)基于浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性有機(jī)薄膜晶體管存儲器及其制造方法
0084)具溝槽晶體管氮化物只讀存儲器記憶單元的制造方法
0085)具有縱向超薄體晶體管的折疊位線動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
0086)MFS型場效應(yīng)晶體管及其制造方法、強(qiáng)電介質(zhì)存儲器及半導(dǎo)體裝置
0087)在存儲器件中制造三溝道晶體管的方法
0088)具有含有一個(gè)鐵電存儲器晶體管的存儲單元的集成存儲器
0089)具對稱性選擇晶體管的快閃存儲器的布局
0090)具有非易失性雙晶體管存儲單元的半導(dǎo)體存儲器
0091)用垂直結(jié)構(gòu)的碳納米管晶體管設(shè)計(jì)的單電子存儲器及制法
0092)帶有超薄垂直體晶體管的快速存儲器
0093)包括每個(gè)有浮動?xùn)藕涂刂茤艠O的MOS晶體管的半導(dǎo)體存儲器
0094)非易失性存儲器晶體管、堆疊式存儲裝置及其制造方法
0095)具有垂直結(jié)構(gòu)晶體管的磁性隨機(jī)存取存儲器及其制造方法
0096)基于碳納米管單電子晶體管設(shè)計(jì)的單電子存儲器
0097)垂直溝道晶體管以及包括垂直溝道晶體管的存儲器件
0098)集成晶體管/存儲器結(jié)構(gòu)的矩陣可尋址陣列
0099)二晶體管式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器及其記憶胞
0100)采用單個(gè)晶體管的高密度半導(dǎo)體存儲器單元和存儲器陣列
0101)包括雙極晶體管存取裝置的電阻式存儲器
0102)鰭形場效晶體管半導(dǎo)體存儲器的字線和位線排列
0103)用于半導(dǎo)體存儲器件的薄膜晶體管及其制造方法
0104)抑制了電流路徑上的晶體管組的電阻的薄膜磁性體存儲器
0105)具有垂直超薄體晶體管的可編程存儲器的尋址和譯碼器電路



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