易失存儲器技術(shù)資料-圖像存儲器-靜態(tài)存儲器-非易失性存儲器的控制器-測試存儲器-固態(tài)存儲器類資料（468元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：468元；資料（光盤）編號：F150779
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《易失存儲器資料》包括專利技術(shù)全文資料760份。
0001)非易失性存儲器及其制造方法

0011)在非易失性半導體存儲器件中驅(qū)動編程操作的方法
0012)用于編程/擦除非易失性存儲器的方法和設(shè)備
0013)元件隔離膜的形成方法以及非易失性半導體存儲器
0014)存儲單元具有“與非”邏輯結(jié)構(gòu)的非易失性半導體存儲器
0015)管理非易失存儲器系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)完整性的方法和裝置
0016)抗電源故障的電可擦除和可編程非易失性存儲器
0017)改進負偏壓分配的浮置柵極非易失性存儲器結(jié)構(gòu)
0018)用以快速編程非易失性存儲器的方法與裝置
0019)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0020)互補非易失性存儲器件及其操作和制造方法
0021)非易失性存儲器的源極控制操作
0022)具有非循序更新區(qū)塊管理的非易失性存儲器及方法
0023)非易失性半導體存儲器件
0024)非易失性存儲器件及其制造方法
0025)非易失性存儲器的存取控制系統(tǒng)
0026)具有兩種電阻材料層的非易失性存儲器件
0027)非易失性半導體存儲器件
0028)非易失性半導體存儲器
0029)非易失性存儲器的制造方法
0030)自動刷新的易失存儲器設(shè)備及相關(guān)存儲器系統(tǒng)和操作方法
0031)使用碳納米管溝道的多位非易失性存儲器件及其操作方法
0032)存儲器控制器、非易失性存儲裝置、非易失性存儲系統(tǒng)及存儲器控制方法
0033)非易失存儲器測試結(jié)構(gòu)和方法
0034)非易失存儲器及其制造方法
0035)非易失性存儲器單元陣列
0036)提高編程速度的非易失性存儲器及相關(guān)編程方法
0037)非易失性存儲器
0038)非易失性存儲器件及其制造方法
0039)非易失性存儲器的接口
0040)用于故障數(shù)據(jù)存儲的非易失存儲器的盤驅(qū)動器
0041)形成非易失性存儲器件的方法
0042)基于finFET的非易失性存儲器
0043)非易失存儲器的制造方法
0044)非易失性存儲器件及其制造方法
0045)多位非易失性存儲器器件及其方法
0046)非易失性存儲器單擦除的多次寫入
0047)對可擦除非易失性存儲器完全新編程的方法
0048)非易失性存儲器及其制造方法
0049)數(shù)據(jù)鎖存器在非易失性存儲器的多階段編程中的使用
0050)控制非易失性存儲器中的操作處理的設(shè)備和方法
0051)非易失存儲器分塊結(jié)構(gòu)及冗余性
0052)稅控設(shè)備非易失性存儲器的安全性保護裝置
0053)具有非易失性雙晶體管存儲單元的半導體存儲器
0054)變電阻元件和使用其的非易失性存儲器
0055)使用多進制存儲器中的一些存儲塊作為二進制存儲塊的非易失性半導體存儲器件
0056)保留的易失性存儲器單元
0057)非易失性半導體存儲器件
0058)非易失性存儲器存儲單元讀取方法
0059)一種解決非易失性存儲器氧氮氧化物殘留的制造方法
0060)具有非易失性存儲器的信號處理裝置及非易失性存儲器的編程方法
0061)把數(shù)據(jù)寫入非易失性存儲器的方法和設(shè)備
0062)多位非易失性存儲器件及其操作方法和制造方法
0063)制造隔離結(jié)構(gòu)與具有此隔離結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器的方法
0064)非易失性存儲器裝置
0065)非易失性存儲器
0066)用于非易失性存儲器的受保護的實時寫入
0067)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0068)用于非易失性半導體存儲器件的基準方案
0069)非易失性半導體存儲器件
0070)非易失性半導體存儲器
0071)非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
0072)非易失性存儲器中的部分分塊數(shù)據(jù)編程和讀取操作
0073)改善非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保存的方法及裝置
0074)非易失性存儲器的井區(qū)延伸結(jié)構(gòu)的制造方法
0075)非易失性存儲器及其制造方法
0076)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0077)包括非易失性存儲器的光盤驅(qū)動器及其操作方法
0078)非易失半導體存儲器件及其過寫入補救方法
0079)應(yīng)用非易失性鐵電存儲器的交錯控制裝置
0080)通過控制頻繁受訪問扇區(qū)對非易失性存儲器的更快寫操作
0081)收集非易失性存儲器的垃圾塊的裝置及收集方法
0082)非易失性存儲器及其寫入方法
0083)具有區(qū)塊管理系統(tǒng)的非易失性存儲器和方法
0084)存儲卡、非易失性存儲器、及其拷回操作的方法
0085)具有改進的部分頁編程能力的非易失性存儲器和控制
0086)非易失性半導體存儲器
0087)具有監(jiān)視存儲器單元的非易失性存儲器設(shè)備及其驅(qū)動方法
0088)一種刷新嵌入式系統(tǒng)中非易失性存儲器的方法
0089)非易失性存儲器系統(tǒng)及操作非易失性存儲器系統(tǒng)的方法
0090)非易失性存儲器件及其制造方法
0091)非易失性存儲器器件及其方法
0092)非易失存儲器和非易失存儲器制造方法
0093)制作非易失性存儲器的方法
0094)非易失半導體存儲器件及其數(shù)據(jù)擦除方法
0095)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0096)具有內(nèi)部串行總線的高度緊湊的非易失性存儲器及其方法
0097)非易失性存儲器的程序驗證
0098)非易失半導體存儲器及其制造方法
0099)非易失性存儲器件及其制造方法
0100)含有電可編程非易失存儲器單元的布置的半導體裝置
0101)非易失性存儲器的試驗方法
0102)非易失性半導體存儲器件
0103)用于非易失性存儲器中的基準晶體管的可變柵偏置
0104)非易失性半導體存儲器件
0105)非易失性存儲器件的頁面緩沖器及其編程和讀取方法
0106)非易失性半導體存儲器件
0107)采用可編程非易失存儲器作為其程序存儲器的智能卡
0108)具有電荷俘獲層的非易失性存儲器件及其制造方法
0109)柵控二極管非易失性存儲器單元的操作方法
0110)非易失性存儲器及其制造方法
0111)導電結(jié)構(gòu)、包括導電結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器件及其制造方法
0112)操作非易失性存儲器裝置的方法
0113)非易失性存儲器和通過附加修改的空存儲單元加速測試地址******的方法
0114)非易失性存儲器的自動節(jié)電待機控制
0115)分離柵極型非易失性存儲器的制造方法
0116)使用非易失性存儲器作為高速緩存器的存儲設(shè)備及其方法
0117)包括高壓晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
0118)非易失性存儲器元件的操作方法
0119)具有雙柵的多位非易失性存儲器及其制造方法，以及多位單元操作方法
0120)包括多層隧道勢壘的非易失存儲器件及其制造方法
0121)非易失性半導體存儲器件
0122)用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的電荷包計量
0123)非易失性存儲器裝置中的多級編程
0124)非易失性半導體存儲器器件及其寫方法
0125)具有單層多晶硅的鏡像非易失性存儲器單元晶體管對
0126)非易失性半導體存儲器用區(qū)塊保護電路、區(qū)塊保護方法、及非易失性半導體存儲器
0127)具有內(nèi)置電可重寫非易失性存儲器的微型計算機
0128)非易失性存儲器及其制造方法
0129)用于實現(xiàn)命令同步以支持多線程非易失性存儲器文件系統(tǒng)的方法
0130)非易失性半導體存儲器件及其所用的優(yōu)化編程方法
0131)非易失性存儲器設(shè)備
0132)包含用于臨時存儲的非易失存儲器的一次寫入式存儲設(shè)備
0133)使用相變材料存儲器元件的非易失性內(nèi)容可尋址存儲器
0134)非易失性半導體存儲器
0135)非易失存儲器
0136)具備非易失性半導體存儲器的存儲器系統(tǒng)
0137)具有隔離結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器及其制造方法
0138)多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0139)非易失性有機阻抗隨機存取存儲器件及其制造方法
0140)在非易失性存儲器系統(tǒng)中執(zhí)行多頁面寫入操作的方法和設(shè)備
0141)非易失性存儲器、其制造方法及該存儲器的寫入讀出方法
0142)在非易失性存儲器中存儲數(shù)據(jù)的方法
0143)基于非易失性存儲器單元的行為的編程方法
0144)非易失性存儲器的布局結(jié)構(gòu)及其制作方法
0145)編輯設(shè)備、編輯方法和非易失性存儲器
0146)非易失性半導體存儲器件
0147)非易失性存儲器的控制方法
0148)含電可重寫非易失存儲器的單片數(shù)據(jù)處理裝置及操作方法
0149)非易失性存儲器成塊結(jié)構(gòu)
0150)計算機易失性存儲器電源后備系統(tǒng)
0151)含有非易失性存儲器的半導體器件及其制造方法
0152)在非易失性存儲器中存儲插針校準數(shù)據(jù)、命令和其他數(shù)據(jù)的半導體測試系統(tǒng)
0153)半導體非易失性存儲器件
0154)制造非易失性存儲器件的方法
0155)管理非易失性存儲器的映射表的設(shè)備和方法
0156)非易失性存儲器及其制造方法
0157)非易失性電子存儲器件及其制作方法
0158)非易失性半導體存儲器
0159)對非易失性存儲器件生成編程電壓的電路和方法
0160)非易失性半導體存儲器件及其多塊擦除方法
0161)非易失存儲器及其制造方法
0162)非易失性存儲器
0163)包括雙擴散結(jié)區(qū)的非易失性存儲器件及其制造方法
0164)非易失存儲器卡和輸入輸出卡的協(xié)同互連及操作
0165)非易失半導體存儲器及設(shè)置該存儲器中的替換信息的方法
0166)非易失性半導體存儲器件和信號處理系統(tǒng)
0167)非易失性存儲器件及其制造方法
0168)非易失性存儲器件
0169)具有作為開關(guān)單元的晶體管和二極管的非易失性存儲器
0170)高度緊湊的非易失性存儲器及其方法
0171)非易失性存儲器
0172)具有空間有效的數(shù)據(jù)寄存器的高度緊湊非易失性存儲器及其方法
0173)包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
0174)非易失性存儲器系統(tǒng)中的流水線并行編程操作
0175)具有電荷存儲層的非易失性存儲器件的編程方法
0176)從非易失性存儲器引導
0177)存儲器控制器、非易失性存儲器、非易失性存儲系統(tǒng)和數(shù)據(jù)寫入方法
0178)具有存儲器平面對準的非易失性存儲器及方法
0179)非易失性存儲器裝置
0180)利用溝道技術(shù)和介質(zhì)浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結(jié)構(gòu)
0181)自對準**柵非易失存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法
0182)非易失性存儲器件及其制造方法
0183)減少非易失性存儲器的編程和讀取干擾的操作技術(shù)
0184)非易失性存儲器器件及其驅(qū)動方法
0185)頁面緩存器和包括頁面緩存器的非易失性半導體存儲器
0186)非易失性半導體存儲器裝置
0187)**柵極非易失存儲器單元及其形成方法
0188)非易失性存儲器的制造方法
0189)具有加電讀模式的非易失半導體存儲器
0190)印刷非易失性存儲器
0191)非易失性存儲器及其制造方法
0192)具有相對于鰭以一角度延伸的控制柵極的非易失存儲器
0193)通過易失性存儲器接口訪問非易失性存儲器的方法
0194)應(yīng)用于雙邊偏壓非易失性存儲器的方法與裝置
0195)編程非易失性存儲器
0196)一次性可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0197)非易失性存儲器裝置及其制造方法
0198)非易失存儲器補償讀取源極線的裝置
0199)使用受保護的非易失性存儲器的系統(tǒng)和方法
0200)包括失效單元校正電路的非易失性鐵電存儲器裝置
0201)非易失性存儲器
0202)非易失存儲系統(tǒng)和非易失存儲器的管理方法
0203)用于編程非易失存儲器的系統(tǒng)和方法
0204)非易失性存儲器元件
0205)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0206)在非易失存儲器設(shè)備中對用戶數(shù)據(jù)和確認信息編程的方法
0207)具有嵌入式可編程控制器的非易失存儲器
0208)非易失性半導體存儲器
0209)用于在具有非易失性存儲器的盤驅(qū)動器中存儲數(shù)據(jù)的方法和裝置
0210)有機非易失性存儲材料及存儲器件
0211)多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0212)具有公共位線的非易失存儲器件
0213)非易失性半導體存儲器件
0214)使用個別驗證擦除非易失性存儲器和額外擦除存儲器單元的子組
0215)具有非易失存儲器模塊的電路裝置和用于記錄非易失存儲器模塊上的光沖擊的方法
0216)使用集成DMA引擎進行高性能易失性磁盤驅(qū)動器存儲器訪問的裝置和方法
0217)一種反向偏壓誘導的雙穩(wěn)態(tài)非易失性存儲器
0218)同步頁面模式非易失性存儲器
0219)一種對多層非易失性存儲器設(shè)備編程的方法
0220)非易失性半導體存儲器
0221)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0222)非易失性存儲器件的制造方法
0223)非易失性存儲器裝置及其操作方法
0224)格式化非易失性半導體存儲器的文件存儲裝置、主機設(shè)備、方法，以及在非易失性半導體存儲器中寫數(shù)據(jù)的方法
0225)非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
0226)用以改進非易失性存儲器中快反向的負電壓放電方案
0227)非易失性半導體存儲器的制造方法和非易失性半導體存儲器
0228)按優(yōu)先級的次序處理非易失性存儲器的操作的設(shè)備和方法
0229)用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的可變電流吸收
0230)非易失性存儲器件
0231)具有經(jīng)調(diào)度回收操作的非易失性存儲器
0232)帶程序暫停命令的非易失性可寫存儲器
0233)具有分離式隧道窗口的非易失性半導體存儲器單元的制造方法
0234)使用介孔材料的非易失性納米溝道存儲器件
0235)具有非易失性存儲器數(shù)據(jù)傳輸能力的集成電路存儲器系統(tǒng)
0236)頁面緩沖器和非易失性存儲器設(shè)備
0237)用于從集成電路的非易失性存儲器中取數(shù)據(jù)的方法和相應(yīng)的集成電路
0238)對非易失性存儲器中缺陷的區(qū)界調(diào)整
0239)進行直接存儲器存取的組合非易失性存儲器及輸入輸出卡
0240)具有編程時間控制的非易失性存儲器系統(tǒng)
0241)非易失半導體存儲器件以及該存儲器件的數(shù)據(jù)擦除方法
0242)電擦除非易失性存儲器
0243)具有非易失存儲器的半導體裝置及其制造方法
0244)非易失性存儲器及其操作方法
0245)為易失性存儲器提供獨立的庫刷新的方法和系統(tǒng)
0246)非易失性存儲單元以及存儲器系統(tǒng)
0247)非易失性存儲器中的編程抑制方案的選擇性應(yīng)用
0248)具有變化溝道區(qū)界面的非易失性存儲器
0249)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0250)具有區(qū)塊管理的非易失性存儲器
0251)非易失性半導體存儲器
0252)制造有擦除柵的非易失半導體存儲器的方法
0253)柵控二極管非易失性存儲器制造方法
0254)具有自旋相關(guān)轉(zhuǎn)移特性的隧道晶體管及使用了它的非易失性存儲器
0255)利用高k介質(zhì)和納米晶浮柵的非易失存儲器及其制作方法
0256)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0257)在嵌入系統(tǒng)的非易失存儲器中進行數(shù)據(jù)操作的方法
0258)有著一ONO上介電層的非易失性存儲器半導體元件
0259)適用于非易失性存儲器的隧道晶體管
0260)包括二極管和電阻切換材料的非易失性存儲器單元
0261)內(nèi)嵌非易失存儲器的系統(tǒng)集成芯片的安全測試方法
0262)非易失性半導體存儲器
0263)采用非易失性高速緩沖存儲器的存儲設(shè)備及其控制方法
0264)使用多層碳納米管的非易失碳納米管存儲器及其操作方法
0265)使用單獨三端非易失存儲元件的存儲器陣列及其形成方法
0266)非易失性存儲器讀取操作中的補償電流
0267)非易失性半導體存儲器件
0268)非易失性存儲器的控制裝置及其控制方法以及存儲裝置
0269)非易失性存儲器
0270)非易失性存儲器件
0271)多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0272)非易失性存儲器系統(tǒng)
0273)非易失性存儲器的可變編程
0274)以不可分割方式修改特別是非接觸卡的微電路卡的非易失性存儲器的多個位置的方法
0275)非易失性半導體存儲器件
0276)具有以有機半導體為基礎(chǔ)的晶體管及非易失性讀/存儲器胞元的半導體裝置
0277)具有變化溝道區(qū)界面的非易失性存儲器的操作方法
0278)非易失性半導體存儲器
0279)非易失性半導體存儲器
0280)非易失性存儲器件及其操作方法
0281)一種非易失存儲器
0282)控制對非易失性存儲器的訪問
0283)共享的易失和非易失存儲器
0284)半導體非易失性存儲器件
0285)降低非易失性存儲器存儲元件間耦合效應(yīng)的方法
0286)具有其溫度依賴性被補償?shù)碾娏鞯姆且资�性存儲器單元及其�?shù)據(jù)讀取方法
0287)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0288)在非易失性存儲器中存儲引線校準數(shù)據(jù)的基于事件的測試系統(tǒng)
0289)非易失性存儲器件及其制造方法
0290)非易失性靜態(tài)存儲器單元
0291)非易失性存儲器件、系統(tǒng)及其方法
0292)非易失存儲器系統(tǒng)中不可用塊的管理
0293)非易失性半導體存儲器件
0294)非易失性半導體存儲器及其程序驗證方法
0295)非易失性半導體存儲器件
0296)存儲單元及備有該存儲單元的非易失性半導體存儲器
0297)半導體集成電路和非易失性存儲器元件
0298)用于驗證預(yù)先擦除的具有頁緩沖器的非易失性存儲器裝置
0299)用于非易失性存儲器的自動節(jié)電待機控制的裝置和方法
0300)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0301)非易失性存儲器及其制造方法
0302)非易失存儲器及其編程方法
0303)非易失性存儲器單元與非易失性存儲器陣列及其操作方法
0304)基于非易失性存儲器中兩個連續(xù)邏輯塊的掉電保護方法
0305)具有隔離區(qū)上擦除柵的非易失性存儲器
0306)電可擦除非易失性存儲器
0307)改進編程的非易失性存儲器及為此的方法
0308)編程非易失存儲器器件
0309)非易失性存儲器件及其制造方法
0310)非易失性半導體存儲器的數(shù)據(jù)擦除方法
0311)具有多階輸出電流的非易失存儲器編程、讀取與擦除方法
0312)非易失性半導體存儲器
0313)帶有存儲單元結(jié)構(gòu)的非易失性半導體存儲器
0314)非易失性半導體存儲器件的制造方法
0315)用于控制非易失性存儲器檢測時間的方法及裝置
0316)非易失存儲器的選擇編程方法
0317)可靠擦除電子設(shè)備的非易失性存儲器的信息的方法和系統(tǒng)
0318)非易失性存儲器件及其驅(qū)動方法
0319)多位元堆疊式非易失性存儲器及其制造方法
0320)非易失性存儲器的平均抹除方法與裝置
0321)非易失性半導體存儲器
0322)保護可覆寫式非易失性存儲器免于數(shù)據(jù)毀損的裝置及方法
0323)具有電荷俘獲層的非易失性存儲器件
0324)用于檢驗非易失性存儲器件的初始狀態(tài)的方法和單元
0325)非易失存儲器、記錄裝置和記錄方法
0326)處理非易失性存儲器的數(shù)據(jù)的設(shè)備和方法
0327)非易失存儲器器件
0328)局部俘獲式非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保留
0329)包括獨立可控的柵電極的兩位非易失性存儲器件及其制造方法
0330)非易失性半導體存儲器件
0331)多處理器設(shè)備中的非易失性存儲器裝置和方法
0332)基于納米管的非易失性存儲器件
0333)一種芯片內(nèi)非易失性存儲器仿真系統(tǒng)
0334)將弱單元用作讀取標識符的非易失性半導體存儲器器件
0335)非易失性存儲器系統(tǒng)內(nèi)糾錯碼的混合實現(xiàn)
0336)三電平非易失性半導體存儲器件和相關(guān)操作方法
0337)非易失性存儲器件及其制造方法
0338)非易失性存儲器和非易失性存儲器的數(shù)據(jù)改寫方法
0339)用于控制在非易失性存儲器中重寫數(shù)據(jù)的交通工具控制器
0340)非易失性半導體存儲器及其數(shù)據(jù)編程方法
0341)在單個存儲單元中存儲多值數(shù)據(jù)的非易失性半導體存儲器
0342)非易失性半導體存儲器及其控制方法
0343)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0344)用于在測試低壓非易失性存儲器時提高編程速度的雙模式高壓電源
0345)一種非易失性存儲器及其設(shè)計方法
0346)在非易失存儲器設(shè)備內(nèi)的嵌入安全設(shè)備
0347)非易失性存儲器的可選擇塊保護
0348)非易失性存儲器中電源故障之前的電視參數(shù)存儲
0349)非易失存儲器及其制造方法
0350)非易失性半導體存儲器
0351)用于制造非易失性存儲器單元陣列的方法
0352)非易失性存儲器
0353)存儲在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的完整性控制
0354)使非易失性存儲器作為數(shù)據(jù)存儲/處理設(shè)備運轉(zhuǎn)時能執(zhí)行代碼的系統(tǒng)和方法
0355)非易失性聚合物雙穩(wěn)態(tài)存儲器件
0356)在非易失性存儲器器件上嵌入的系統(tǒng)軟件復制保護
0357)包括可切換電阻器和晶體管的非易失性存儲器單元
0358)非易失性存儲器微機芯片及其測試方法
0359)用于非易失性存儲器的數(shù)據(jù)寫裝置
0360)包括納米點的非易失性存儲器件及其制造方法
0361)非易失存儲器件和使用列的子集的編程方法
0362)非易失性存儲器晶體管、堆疊式存儲裝置及其制造方法
0363)具有節(jié)省功率的讀取和編程檢驗操作的非易失性存儲器和方法
0364)對每個存儲塊具有保護功能的非易失性半導體存儲器件
0365)非易失性半導體存儲器
0388)包括可變電阻材料的非易失存儲器
0398)使用轉(zhuǎn)矩的非易失性磁存儲單元和使用它的隨機存取磁存儲器
0399)非易失性半導體存儲器和操作方法
0400)非易失性半導體存儲器
0401)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0402)非易失性半導體存儲器、半導體裝置及電荷泵電路
0403)電荷捕獲型三電平非易失性半導體存儲器器件及驅(qū)動方法
0404)浮置柵極的制造方法與非易失性存儲器的制造方法
0405)NOR型混合多位非易失性存儲器件及其操作方法
0406)利用個別驗證來軟編程非易失性存儲器和額外軟編程存儲器單元的子組
0407)使用集成電路裝置的雙信號控制協(xié)議對非易失性存儲器進行的增加/減小、芯片選擇和可選擇寫入
0408)非易失性半導體存儲器件及其擦除方法和測試方法
0409)埋入式非易失性半導體存儲器單元的制造方法
0410)自適應(yīng)和自校準的多級非易失性存儲器
0411)一種堆疊薄膜晶體管非易失性存儲器件及其制造方法
0412)對要存儲在非易失性存儲器陣列上的數(shù)據(jù)進行編碼的電路、系統(tǒng)和方法
0413)操作非易失性存儲器裝置的分頁緩沖器的方法
0414)**柵型非易失性存儲器器件及其制造方法
0415)管理非易失性存儲器的設(shè)備和方法
0416)具有在系統(tǒng)及離系統(tǒng)上的可編程非易失性存儲器的芯片
0417)用于非易失性存儲器的靈活和區(qū)域有效的列冗余
0418)具有浮置柵極的非易失性存儲器件以及形成其的相關(guān)方法
0419)一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0420)用于非易失性存儲器的錯誤恢復
0421)非易失性存儲器中的擦除禁止
0422)使用非易失性存儲器作為高速緩存的存儲設(shè)備及運行方法
0423)具有用于嵌入式非易失性存儲器的自測試器件的集成電路及相關(guān)測試方法
0424)將電荷俘獲在絕緣膜內(nèi)非易失性地存儲信息的存儲器
0425)擦除效率改善的非易失存儲器及其制備方法
0426)非易失存儲器集成電路器件及其制造方法
0427)半導體非易失性存儲器裝置
0428)非易失性存儲器件及其編程方法
0429)非易失性存儲器及其制造方法
0430)具有多位控制功能的非易失性鐵電存儲器件
0431)非易失性存儲器并行處理器
0432)可防止等離子體電荷引起的損壞的非易失性存儲器件
0433)采用雙極可編程電阻存儲元件的非易失存儲器結(jié)構(gòu)
0434)非易失存儲器及其制造方法
0435)非易失半導體存儲器裝置及其制造方法
0436)在非易失性存儲器中重用日志塊的方法、非易失性存儲器件
0437)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)和非易失性存儲器
0438)非易失性存儲器以及非易失性存儲器的制造方法
0439)非易失性存儲器件及其制造方法
0440)非易失性半導體存儲器件
0441)非易失性半導體存儲器件及其制造方法和操作方法
0442)一種空間非易失存儲器
0443)柵控二極管非易失性存儲器單元
0444)非易失性半導體存儲器及方法
0445)鐵電非易失存儲器中的存儲器結(jié)構(gòu)及其讀出方法
0446)一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
0447)制造非易失性存儲器件的方法
0448)具有SONOS結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器及其制造方法
0449)存儲器系統(tǒng)以及寫入非易失性半導體存儲器中的方法
0450)借助非易失性存儲器的循環(huán)的開始編程電壓偏移
0451)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0452)嵌入式系統(tǒng)及其接口裝置與非易失性存儲器的更新方法
0453)密集型非易失性存儲器陣列及其制造方法
0454)非易失性存儲器件和用于操作其頁緩沖器的方法
0455)反鐵磁/順磁電阻器件、非易失性存儲器及其制造方法
0456)非易失性存儲器件及其操作方法
0457)為易失性存儲器中的引導式庫刷新提供無縫自刷新的方法和系統(tǒng)
0458)非易失性存儲器及其寫入方法、以及半導體裝置
0459)對存儲在非易失性可重編程半導體存儲器中的信息進行組織
0460)非易失性存儲器件及其制造方法
0461)非易失性半導體存儲器件的多塊擦去與驗證裝置及其方法
0462)多位非易失性存儲器件及其操作方法和制造方法
0463)跟蹤非易失性存儲器系統(tǒng)中最頻繁擦除區(qū)塊
0464)非易失性半導體存儲器
0465)與非型多位非易失性存儲器件及其制造方法
0466)與CMOS兼容的單層多晶硅非易失性存儲器
0467)使用鐵電柵極場效應(yīng)晶體管的非易失性存儲器和制造方法
0468)非易失性半導體存儲器
0469)一次可編程半導體非易失性存儲器件及其制造方法
0470)單層多晶硅非易失性存儲器裝置的操作方法
0471)制造半導體非易失性存儲器的方法
0472)非易失性存儲器的控制裝置和控制方法以及存儲裝置
0473)具有掃描電路和方法的非易失性存儲器
0474)具有用于高速暫存器和更新區(qū)塊的改進索引的非易失性存儲器和方法
0475)非易失性存儲器控制裝置、非易失性存儲器控制方法和存儲裝置
0476)數(shù)據(jù)擦除方法以及非易失性半導體存儲器件的制造方法
0477)非易失性半導體存儲器件的制造方法
0478)降低非易失性存儲器存儲元件間耦合效應(yīng)的方法
0479)非易失性同步存儲器中獨立的異步啟動塊
0480)非易失性半導體存儲器
0481)用于嵌入式非易失性存儲器的雙電源供電的方法和設(shè)備
0482)非易失性存儲器及在非易失性存儲器中編程的方法
0483)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0484)提高了數(shù)據(jù)保持能力的非易失性存儲器
0485)非易失性半導體存儲器及制造方法
0486)非易失性存儲器以及驗證非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)的方法
0487)具有非易失存儲器的CMOS圖像傳感器
0488)非易失性半導體存儲器及其操作方法
0489)非易失性存儲器的制造方法、寫入方法及讀取方法
0490)電荷捕捉非易失性存儲器及其逐個柵極擦除的方法
0491)一種非易失性存儲器的編程與擦除方法
0492)非易失性存儲器件及其制造方法
0493)具有擴散阻擋結(jié)構(gòu)的柵極二極管非易失性存儲器
0494)非易失性半導體存儲器及其制造工藝
0495)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0496)三層多晶硅嵌入式非易失性存儲器單元及其制造方法
0497)具有位線至位線耦合補償?shù)姆且资�性存儲器及方�?BR>0498)電源啟動時讀取非易失性存儲器的熔絲元件的方法及電路
0499)非易失性半導體存儲器件
0500)非易失性可變電阻器，存儲器件，及其定標法
0501)測試內(nèi)嵌多塊非易失存儲器的系統(tǒng)整合芯片的方法
0502)非易失性存儲器的存儲單元的過擦除保護
0503)在非易失性存儲器的高速緩存操作中使用數(shù)據(jù)鎖存器
0504)用于提高耦合比的非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0505)用于非易失性存儲器的編程控制的雙調(diào)諧管理方法
0506)存儲器控制器、非易失性存儲裝置、非易失性存儲系統(tǒng)及數(shù)據(jù)寫入方法
0507)用于控制非易失性存儲器的控制器
0508)非易失性半導體存儲器件的制造方法及半導體存儲器件
0509)將數(shù)據(jù)存儲在非易失性高速緩沖存儲器中的設(shè)備和方法
0510)制造非易失存儲器件的方法和由此獲得的存儲器件
0511)非易失性磁高速緩沖存儲器
0512)使用多個串存儲狀態(tài)信息的非易失性存儲器裝置和方法
0513)形成具有浮柵的非易失性存儲器件的方法
0514)非易失性半導體存儲器件
0515)非易失性存儲器件及相關(guān)器件的制造方法
0516)非易失性存儲器評估方法和非易失性存儲器
0517)非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
0518)半導體器件的非易失性電容器、半導體存儲器及工作方法
0519)非易失性存儲器及其控制方法
0520)具有統(tǒng)一的存儲單元操作特性的非易失性半導體存儲器件
0521)非易失性半導體存儲器
0522)用于顯示面板和非易失性存儲器的驅(qū)動器單元
0523)基于浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性有機薄膜晶體管存儲器及其制造方法
0524)非易失性存儲器
0525)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0526)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0527)具有電荷陷捕層的非易失性存儲器件及其制造方法
0528)非易失性存儲器件及其制造方法
0529)非易失性存儲器件的操作方法
0530)具有多個捕獲膜的非易失性存儲器件
0531)非易失性存儲器件及其制造方法
0532)非易失性固態(tài)存儲器驅(qū)動器
0533)非易失性存儲器的阱區(qū)延伸結(jié)構(gòu)的制造方法
0534)具有非易失存儲器模塊的電路裝置以及對非易失存儲器模塊中的數(shù)據(jù)進行加密/解密的方法
0535)用于含有一存儲控制器的各種不同標準卡的通用非易失性存儲器卡
0536)非易失性半導體存儲器、半導體器件和非易失性半導體存儲器的制造方法
0537)非易失性半導體存儲器
0538)擦除非易失性存儲器元件時用于自我收斂的裝置和方法
0539)升壓以控制非易失性存儲器的編程
0540)非易失性鐵電存儲器設(shè)備的制備方法和由此獲得的存儲器設(shè)備
0541)非易失性存儲器及其制造方法
0542)用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的有效驗證
0543)整合傳統(tǒng)式靜態(tài)隨機存儲器與閃存單元的新式非易失性靜態(tài)隨機存儲器內(nèi)存單元結(jié)構(gòu)
0544)非易失性存儲器高速緩存性能改進
0545)非易失性存儲器器件及其制造方法
0546)對非易失性存儲器的并行編程
0547)用于對非易失性存儲器陣列編程的方法、系統(tǒng)和電路
0548)具有旁路晶體管的非易失性存儲器件及其操作方法
0549)編程存儲單元塊的方法、非易失性存儲器件和存儲卡器件
0550)非易失性存儲器件及其檢測方法
0551)非易失性存儲器單元的精確編程
0552)非易失性半導體存儲器件及其制造工藝
0553)非易失性存儲器的操作方法
0554)非易失性存儲器的數(shù)據(jù)寫入
0555)采用不接觸技術(shù)減小單元面積的非易失半導體存儲器
0556)非易失性半導體存儲器件
0557)支持虛擬頁存儲的非易失性存儲器件及其編程方法
0558)升壓電路和使用了它的非易失性存儲器
0559)具有舉升的源極區(qū)與漏極區(qū)的非易失性存儲器
0560)非易失存儲器結(jié)構(gòu)及其形成方法
0561)非易失性存儲器
0562)半導體存儲裝置及其非易失性存儲器驗證方法
0563)高密度“與非”非易失性存儲器裝置
0564)包括一電阻器和一晶體管的非易失存儲器件
0565)非易失半導體存儲器件
0566)可重寫非易失性存儲器、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及重寫方法
0567)非易失性存儲器裝置及其制造方法
0568)非易失性存儲器中具有分離的偏壓線的字線驅(qū)動器和方法
0569)將非易失性存儲器和邏輯件引入單亞0.3微米制造的方法
0570)改善非易失存儲器元件擦除的制造方法
0571)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0572)帶多流更新跟蹤的非易失性存儲器和方法
0573)用于雙位存儲的非易失性存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法
0574)非易失性存儲器件和從其讀取信息的方法
0575)一種延長非易失存儲器壽命的計數(shù)方法和裝置
0576)柵極二極管非易失性存儲器工藝
0577)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0578)對非易失性存儲器的讀取操作期間的耦合的補償
0579)非易失性半導體存儲器件
0580)非易失性有機存儲器件的制法及其制備的存儲器件
0581)電介質(zhì)膜及其形成方法、半導體器件、非易失性半導體存儲器件及半導體器件的制造方法
0582)非易失性半導體存儲器及將數(shù)據(jù)寫入該存儲器的方法
0583)編程非易失性集成存儲器裝置中單元的系統(tǒng)和方法
0584)非易失性存儲器件及其操作方法
0585)非易失性半導體存儲器
0586)具有可選金屬柵極材料的非易失性半導體存儲器件
0587)晶體管非易失性存儲器單元及其相關(guān)存儲器陣列
0588)從非易失性存儲器讀取數(shù)據(jù)的方法及裝置
0589)用于制造非易失存儲器件的方法
0590)非易失存儲器件及其制造方法
0591)非易失性存儲器件及其編程和讀取方法
0592)非易失性半導體存儲器的編程方法及其電路
0593)非易失性存儲器擦除作業(yè)中的字線補償
0594)非易失半導體存儲器件
0595)非易失性存儲器件及其制造方法
0596)制造具有電荷俘獲層的非易失性存儲器元件的方法
0597)非易失性存儲器的抹除操作
0598)非易失半導體存儲器
0599)帶有非易失性存儲器的、具有多種操作模式的盤驅(qū)動器
0600)非易失性半導體存儲器件
0601)編程和讀取更新數(shù)據(jù)的非易失性存儲器系統(tǒng)和方法
0602)非易失性半導體存儲器
0603)非易失性存儲器
0604)柵控二極管非易失性存儲器單元陣列
0605)非易失順序模塊式存儲器、其數(shù)據(jù)存儲及讀取方法
0606)反熔絲一次可編程的非易失存儲器單元及其制造方法與編程方法
0607)非易失存儲器及其驅(qū)動方法
0608)利用改變字線條件來補償較慢擦除的存儲器單元以擦除非易失性存儲器
0609)非易失性半導體存儲元件以及非易失性半導體存儲器件
0610)三線式/四線式非易失性存儲器的指令應(yīng)用方法及結(jié)構(gòu)
0611)用于操作非易失性存儲器件的頁緩沖器的方法
0612)一種非易失性存儲器電路及其設(shè)計方法
0613)非易失性半導體存儲器件及其操作方法
0614)非易失性存儲器件，寫入數(shù)據(jù)的方法，和讀出數(shù)據(jù)的方法
0615)非易失性存儲器單元及其控制方法
0616)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0617)非易失性存儲器件及其寫入方法
0618)具有自旋相關(guān)轉(zhuǎn)移特性的場效應(yīng)晶體管及使用了它的非易失性存儲器
0619)包括開關(guān)器件和電阻材料的非易失存儲器及制造方法
0620)低干擾性的單閘極非易失性存儲器及其操作方法
0621)非易失性半導體存儲器件
0622)具有同時寫入和擦除功能的非易失性存儲器陣列
0623)用于存儲多值數(shù)據(jù)的非易失性半導體存儲器
0624)使用非易失性存儲器記錄資料的方法及電子裝置
0625)一種更新存儲在非易失性存儲器中的圖象的設(shè)備和方法
0626)可按比特改動的非易失性存儲器的管理
0627)**非易失半導體存儲器設(shè)備及其驅(qū)動方法
0628)非易失性存儲器件及其操作和制造方法
0629)內(nèi)嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
0630)非易失性存儲器件及其制造方法
0631)具有溝槽側(cè)壁晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
0632)一種擦除一個或多個非易失存儲器單元的方法、電路和系統(tǒng)
0633)非易失存儲器件及其制造方法
0634)半導體存儲器系統(tǒng)及控制其非易失性存儲器的操作的方法
0635)通過測試存儲器元件在第一和第二方向上的導電性對非易失性存儲器進行擦除檢驗
0636)非易失性存儲器
0637)預(yù)檢測數(shù)據(jù)丟失的閃速存儲器
0638)非易失性存儲器的制造方法
0639)非易失存儲器裝置和用于其的操作方法
0640)非易失存儲器的具有最佳數(shù)據(jù)保留的擦除方法及器件
0641)非易失性存儲器裝置的控制方法
0642)一種新單體式復合型非易失性存儲器
0643)包括橫向晶閘管和俘獲層的硅絕緣體讀寫非易失性存儲器
0644)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0645)非易失性存儲器件
0646)非易失性存儲器裝置與數(shù)據(jù)的存取電路及其方法
0647)非易失性半導體存儲器的制造方法
0648)浮柵非易失性存儲器
0649)可編程非易失性半導體存儲器件
0650)非易失性半導體存儲器設(shè)備的譯碼器和譯碼方法
0651)一種對非易失性存儲器進行直接存儲訪問的方法及其裝置
0652)非易失性存儲器及其制造方法
0653)交叉點非易失性存儲器件及其制造方法
0654)具有一個編程區(qū)域的非易失性半導體存儲器件
0655)電流或電壓測量電路、讀出電路、非易失性半導體存儲器及差動放大器
0656)具有柵極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)易失性存儲器的晶體管及其制造方法
0657)存儲器控制器，非易失性存儲器，非易失性存儲器系統(tǒng)，和非易失性存儲器地址管理方法
0658)帶有用于存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器的存儲系統(tǒng)
0659)電子部件封裝、非易失性強介電體存儲器、安裝機及方法
0660)包括可變電阻材料的非易失存儲器件
0661)與大容量存儲裝置集成的非易失性高速緩沖存儲器
0662)使用非易失性高速緩沖存儲器的存儲設(shè)備及其控制方法
0663)在非易失性存儲器件中讀取數(shù)據(jù)的方法
0664)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0665)非易失性存儲器件及其制造方法
0666)非易失性存儲器
0667)訪問非易失性計算機存儲器的系統(tǒng)和方法
0668)可編程的非易失性存儲器裝置和使用該裝置的微型計算機
0669)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0670)嵌入多個共享非易失性存儲器的控制器的系統(tǒng)
0671)非易失性存儲器
0672)非易失性存儲器及其操作方法
0673)非易失性存儲器系統(tǒng)內(nèi)有效允許失序?qū)懱幚淼姆椒ê脱b置
0674)雙柵極非易失性存儲器及其制造方法
0675)用于形成非易失性存儲器件中的隔離結(jié)構(gòu)的方法
0676)非易失存儲器、IC卡和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
0677)非易失性存儲器件及其制造方法
0678)多位可存儲非易失性存儲器件
0679)包括可變電阻材料的非易失存儲器件
0680)使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置
0681)非易失性半導體存儲器
0682)非易失性存儲器裝置和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
0683)非易失性存儲器件及其自補償方法
0684)非易失性半導體存儲器件
0685)非易失性存儲器單元集成電路及其制造方法
0686)用于非易失性半導體存儲器的密集陣列結(jié)構(gòu)
0687)用于為易失性存儲器提供定向庫刷新的方法及系統(tǒng)
0688)非易失性存儲器件及其編程、讀取和擦除方法
0689)支持不同存儲單元類型的非易失性存儲器的設(shè)備和方法
0690)確定環(huán)境變量在非易失性存儲器中的位置
0691)非易失性半導體存儲器件
0692)非易失性動態(tài)隨機存取存儲器
0693)非易失性半導體存儲器及其驅(qū)動方法
0694)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0695)形成非易失性存儲器件的方法及由此形成的器件
0696)易失性半導體存儲器
0697)具有離子導電層的非易失性存儲器件及其制造和操作方法
0698)用于編程/擦除非易失性存儲器的方法和設(shè)備
0699)跟蹤非易失性存儲器系統(tǒng)中最不頻繁擦除區(qū)塊
0700)非易失性存儲器及其確定數(shù)據(jù)有效性的方法和設(shè)備
0701)一種非易失性半導體大容量圖像存儲器
0702)在非易失性存儲器中存儲多位的位符號識別方法和結(jié)構(gòu)
0703)非易失性半導體存儲器件
0704)非易失性存儲器件及其形成方法
0705)適于在單個存儲單元中存儲多值的非易失性半導體存儲器件
0706)非易失性存儲器件及其形成方法
0707)NAND型非易失性存儲器的數(shù)據(jù)擦除方法
0708)具有耦合帶區(qū)的非易失性半導體存儲器及其制造方法
0709)對非易失性集成存儲器裝置中的單元進行編程的系統(tǒng)和方法
0710)非易失性存儲器裝置的控制方法
0711)非易失性存儲器裝置和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
0712)非易失性存儲器件及其制造方法
0713)非易失性存儲器件以及對其編程的方法
0714)改進的電荷俘獲非易失性存儲器的擦除和讀取方案
0715)非易失性半導體存儲器
0716)制造非易失性存儲器件的方法
0717)非易失性存儲器裝置及其編程與讀取方法
0718)非易失性半導體存儲器及其制造方法
0719)一種非易失性存儲器件及其設(shè)計方法
0720)在非易失性存儲器系統(tǒng)中執(zhí)行塊高速緩沖存儲的方法和裝置
0721)浮柵非易失性存儲器和制造這種器件的方法
0722)非易失存儲器,及其制造和編程方法
0723)可提高位線耐壓的非易失性半導體存儲器
0724)非易失性的電可編程存儲器
0725)具有浮動閘間壁的非易失性存儲器及制造方法
0726)改善非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保存的方法及裝置
0727)雙浮柵結(jié)構(gòu)的非易失性半導體存儲器器件及其制造方法
0728)具有溫度補償功能的數(shù)據(jù)讀取的非易失性存儲器
0729)將數(shù)據(jù)塊存儲到多個非易失存儲器的閃存塊的方法和系統(tǒng)
0730)一種突破非易失性存儲器件速度瓶頸的裝置
0731)非易失性半導體存儲器件
0732)用于使刷新操作對易失性存儲器性能的影響最小化的方法及系統(tǒng)
0733)非易失性半導體存儲器件
0734)具有大型擦除區(qū)塊的非易失性存儲器系統(tǒng)的管理
0735)制造非易失性存儲器件的方法
0736)無接觸均勻隧道分離P(*)非易失性存儲器的超持續(xù)時間極限計數(shù)的方法
0738)非易失性半導體存儲器件中的自動編程電路
0739)包括寫保護區(qū)的非易失性存儲器件
0740)非易失性存儲器結(jié)構(gòu)及其制造方法
0741)一種嵌入式系統(tǒng)中非易失性存儲器的數(shù)據(jù)存取方法
0742)非易失性存儲器裝置及其操作方法
0743)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0744)半導體非易失性存儲器
0745)非易失性存儲器的制作方法
0746)與非柵型非易失性存儲器及其制造方法
0747)非易失性半導體存儲器件
0748)非易失存儲器件和非易失存儲器陣列
0749)驅(qū)動非易失性存儲器的方法
0750)非易失性半導體存儲器件及其制造方法
0751)非易失性半導體存儲器件
0752)非易失性存儲器件的制造方法
0753)具有非易失性存儲器的集成電路及其寫入保護方法
0754)非易失性存儲器
0755)利用非易失性存儲器對運放偏移電壓和靜電流的數(shù)字微調(diào)
0756)非易失性半導體存儲器件及其不良補救方法
0757)采用兩個氧化物層的非易失性存儲器件
0758)柵極二極管非易失性存儲器的操作
0759)浮動柵極非易失性存儲器及其制作方法
0760)非易失半導體存儲器件及其制造方法




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