選擇半導(dǎo)體技術(shù)資料-選擇性晶體管-區(qū)選擇性晶體管-體半導(dǎo)體-形成半導(dǎo)體-積體半導(dǎo)體類資料（198元/全套）選購(gòu)時(shí)請(qǐng)記住本套資料（光盤）售價(jià)：198元；資料（光盤）編號(hào)：F150774
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《選擇半導(dǎo)體資料》包括專利技術(shù)全文資料89份。
0001)激光頭裝置及波長(zhǎng)選擇性衍射光柵

0011)相對(duì)于摻雜的碳化硅選擇蝕刻有機(jī)硅酸鹽玻璃的方法
0012)有選擇地形成半導(dǎo)體區(qū)域的方法
0013)選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的制備方法
0014)波長(zhǎng)選擇裝置
0015)具有選擇電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
0016)選擇性電鍍半導(dǎo)體器件的輸入/輸出焊盤的方法
0017)一種選擇性毒害氣體報(bào)*器
0018)采用選擇再生長(zhǎng)的AlGaN/GaN(*)金屬選擇性蝕刻液
0020)活性碳的選擇性外延工藝
0021)蝕刻液及應(yīng)用該蝕刻液選擇性去除阻障層的導(dǎo)電凸塊制造方法
0022)在金屬硅化物形成后用于選擇性除去金屬或金屬合金的組合物及方法
0023)采用熔斷電路的半導(dǎo)體器件及選擇熔斷電路系統(tǒng)的方法
0024)波長(zhǎng)選擇性光電檢測(cè)器
0025)具有選擇性生長(zhǎng)接觸焊盤的半導(dǎo)體器件
0026)柵極氧化物的選擇性滲氮
0027)一種基于布拉格光柵和MOS結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)選擇光開(kāi)關(guān)
0028)鑲嵌式內(nèi)連導(dǎo)線上形成選擇性銅膜的制造方法
0029)選擇性腐蝕氧化物的方法
0052)具有選擇性擴(kuò)散區(qū)的半導(dǎo)體器件
0062)硬盤選擇性寫(xiě)保護(hù)裝置
0063)用于選擇功率下降退出的裝置和方法
0064)用于控制拋光選擇性的輔助劑以及包含該輔助劑的化學(xué)機(jī)械拋光漿料
0065)具形成于網(wǎng)區(qū)選擇性晶體管之積體半導(dǎo)體內(nèi)存
0066)可選擇電性的有機(jī)半導(dǎo)體主動(dòng)層及其運(yùn)用
0067)選擇性應(yīng)力記憶作用的半導(dǎo)體元件及其制造方法
0068)用二氟化氙選擇性蝕刻氮化鈦
0069)分閘式快閃記憶胞的選擇閘極的制作方法
0070)具有芯片間互連選擇裝置的三維半導(dǎo)體器件
0071)層疊型半導(dǎo)體裝置及芯片選擇電路
0072)用于將材料選擇性沉積到表面和襯底上的方法和裝置
0073)導(dǎo)電表面的膜**性選擇電鍍
0074)提高氣敏元件選擇性穩(wěn)定性的方法
0075)對(duì)II－VI半導(dǎo)體有選擇的刻蝕
0076)具有輸出冗余取代選擇信號(hào)裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件
0077)一種低音增強(qiáng)級(jí)別選擇電路
0078)選擇性蝕刻方法
0079)帶有對(duì)用于選擇存儲(chǔ)單元的輔助字線的控制的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件
0080)532nm波長(zhǎng)綠色激光前列腺增生選擇性光汽化手術(shù)方法與裝置
0081)計(jì)算機(jī)啟動(dòng)設(shè)備選擇系統(tǒng)及方法
0082)存儲(chǔ)器裝置的位線選擇信號(hào)發(fā)生器
0083)具有可選擇連接的分段位線元件的存儲(chǔ)器件及其驅(qū)動(dòng)方法
0084)使用高選擇性硬掩模形成溝槽的方法及使用該方法的半導(dǎo)體器件隔離方法
0085)利用化合物半導(dǎo)體的選擇性蝕刻制造微透鏡和集成有微透鏡的光電器件的方法
0086)利用有選擇的外延生長(zhǎng)方法的半導(dǎo)體器件制造方法
0087)光控多波長(zhǎng)選擇光開(kāi)關(guān)
0088)包含助焊劑的選擇填充粘附膜
0089)帶有可選擇地起作用的透氣面的透氣裝置



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