半導(dǎo)體,半導(dǎo)體存儲(chǔ),氧化物半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體裝置類技術(shù)資料(168元/全套)（貨到付款）

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[8163-0016-0001] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[摘要] 在含有半導(dǎo)體基片的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成以硅氧烷鍵為主骨架的低介質(zhì)常數(shù)絕緣膜。此低介質(zhì)常數(shù)絕緣膜中以界面活性劑浸透。使此為所述界面活性劑浸透的上述低介電常數(shù)絕緣膜在能暴露于水的狀態(tài)下進(jìn)行預(yù)定的工序。
[8163-0038-0002] 具有透鏡的LED光源
[摘要] 在本發(fā)明的光源內(nèi)將主要為表面安裝技術(shù)制造的LED(2)埋入到透明的填充材料(3)內(nèi)，其內(nèi)包含用于由LED發(fā)射光至少部分波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換器物質(zhì)，并且一只透鏡(4)粘合到透明填充材料上，其中填充材料具有凸表面(3A)，并且透鏡(4)具有與填充材料凸表面形狀適配的凹下底面(4A)。
[8163-0192-0003] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法
一位存儲(chǔ)器單元MC由具有與其它部分電隔離的浮動(dòng)體區(qū)的MOS晶體管構(gòu)成，MOS晶體管的柵電極13連接字線WL、漏擴(kuò)散層14連接位線BL、源擴(kuò)散層15連接固定電位線SL，將MOS晶體管的體區(qū)12內(nèi)注入由碰撞電離而產(chǎn)生的多數(shù)載流子并保持的第1閾值狀態(tài)和隨漏側(cè)pn結(jié)的正向偏壓而放出MOS晶體管的體區(qū)12的多數(shù)載流子的第2閾值狀態(tài)作為二進(jìn)制數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)。因此，將簡(jiǎn)單的晶體管構(gòu)造作為存儲(chǔ)單元，可以提供信號(hào)線少，能夠動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。
[8163-0002-0004] 存儲(chǔ)器裝置及其制造方法和集成電路
[摘要] 提供一種能夠精確讀取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置、該存儲(chǔ)器裝置的制造方法、以及集成電路。第一控制電極實(shí)質(zhì)上與第二控制電極相面對(duì)，傳導(dǎo)區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)位于其間。在“數(shù)據(jù)讀取”的同時(shí)，電勢(shì)被施加到第一控制電極。在“數(shù)據(jù)讀取”期間，防止了傳導(dǎo)區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)之間的電勢(shì)變化，因此防止了信息的無意寫入或擦除,從而能夠精確地讀取寫入的信息。
[8163-0034-0005] 埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的制造方法
[摘要] 一種制造半導(dǎo)體器件的方法，此器件包含具有半導(dǎo)體區(qū)(17、18、24、44、45)的半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo)體區(qū)制作在位于埋置絕緣層(2)上的硅晶片(1)的頂層(4)中。在此方法中，執(zhí)行通常稱為前期工藝的第一系列工藝步驟，其中特別是硅晶片被加熱到700℃以上的溫度。然后，在頂層中制作延伸范圍與埋置的絕緣層相同、且不與pn結(jié)相交的溝槽(25)。在用絕緣材料(26、29)已經(jīng)填充所述溝槽之后，在通常稱為后期工藝的第二系列工藝步驟中完成半導(dǎo)體器件，其中，晶片溫度不超過400℃。用晶片不被加熱到超過500℃的溫度的淀積工藝來填充溝槽。以這種方式，能夠制作包含具有非常小而淺的半導(dǎo)體區(qū)的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件。
[8163-0104-0006] 一種處理裝入智能插卡的削薄的芯片的方法
[摘要] 說明了各種用于處理各削薄的芯片以便裝在各智能插卡之中的方法。一晶片在任何情況下借助于一粘接層以其前側(cè)首先膠接于一載體襯底。然后此晶片從后側(cè)被削薄并通過從后側(cè)鋸開而達(dá)到粘接層來被分割成為各個(gè)芯片。粘接層然后被溶解而各個(gè)芯片用一吸頭提起而離開載體襯底并被投放在一特制托盤之內(nèi)用于進(jìn)一步加工處理。另外，從晶片鋸出的各芯片借助于一第二粘接層以一連續(xù)的載體薄膜膠接在后側(cè)上而第一粘接層然后用一種不會(huì)破壞第二粘接層的方法加以溶解。由載體薄膜接合起來的各芯片因而可以一起被提起而離開載體襯底而在溶解第二粘接層之后分別地被從載體薄膜上取出。晶片可以另外在鋸切之前借助于一第二粘接層用一連續(xù)的載體薄膜膠接在后側(cè)上。在此情況下，同樣，第一粘接層被溶解而保持第二粘接層，而由載體薄膜加強(qiáng)的各個(gè)芯片然后被提起而離開載體襯底。
[8163-0007-0007] 發(fā)光二極管
[摘要] 一種能夠用單一的發(fā)光元件芯片發(fā)出多種中間色調(diào)的小型且電流消耗量少的發(fā)光二極管，具有：基板；在前述基板上形成的電極；連接到前述電極、且配置在基板的上表面上的發(fā)光元件芯片；密封前述發(fā)光元件芯片上面?zhèn)鹊臉渲�件；以及分散在前述樹脂件中的熒光顆粒和色素顆粒。來自前述發(fā)光元件芯片的光和由熒光顆粒進(jìn)行了波長(zhǎng)變換的光的波長(zhǎng)的一部分被色素顆粒吸收。
[8163-0004-0008] 自發(fā)光器件及其驅(qū)動(dòng)方法
[摘要] 提供了一種不容易產(chǎn)生偽輪廓的自發(fā)光器件以及一種驅(qū)動(dòng)自發(fā)光器件的方法。為了防止看到諸如偽輪廓的顯示不規(guī)則性，子幀周期從最長(zhǎng)的子幀周期順序被分割，且已經(jīng)被分割的子幀周期(被分割的子幀周期)被分布在一幀周期內(nèi)，以便不相繼出現(xiàn)。然后，在多個(gè)被分割的子幀周期中，第一被分割的子幀周期內(nèi)讀出的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在各個(gè)象素的存儲(chǔ)器中，并在其它被分割的子幀周期內(nèi)讀出所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，從而執(zhí)行顯示。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，于是能夠防止觀察到諸如使用二進(jìn)制編碼方法的時(shí)分驅(qū)動(dòng)中明顯的偽輪廓之類的顯示障礙。
[8163-0074-0009] 半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法及掩模制作方法
[摘要] 在同一潔凈室內(nèi)提供有每個(gè)遮光圖形都由有機(jī)膜制成的光掩模制作區(qū)和半導(dǎo)體集成電路器件制造區(qū)。光掩模的制作和半導(dǎo)體集成電路器件的制造共用制造和檢查設(shè)備。
[8163-0031-0010] 一種有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法
[摘要] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。該器件包括靠近基片梳形平行的第一電極和第二電極，遠(yuǎn)離基片的第三電極，以及夾在所述第一、第二電極和第三電極之間的有機(jī)半導(dǎo)體層和絕緣層。該制備方法中的絕緣層采用具有良好絕緣性能的有機(jī)材料，通過全蒸鍍法正向制備有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，從而有效增大了晶體管的飽和電流，縮小了晶體管面積。
[8163-0045-0011] 制作散熱型集成電路芯片塑料封裝的安裝散熱片方法
[8163-0008-0012] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0115-0013] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電路的電容器的制造方法
[8163-0018-0014] 一種焦平面讀出電路像素陣列的布圖方法和金屬布線結(jié)構(gòu)
[8163-0146-0015] 金屬基座復(fù)合元件
[8163-0137-0016] 一種用于結(jié)晶硅層的方法
[8163-0063-0017] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0013-0018] 一種集成電路封裝用基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
[8163-0101-0019] 太陽電池以及太陽電池元件
[8163-0062-0020] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0022-0021] 半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體模塊
[8163-0083-0022] 自行對(duì)準(zhǔn)位線接觸窗與節(jié)點(diǎn)接觸窗制造方法
[8163-0125-0023] 分體式熱電偶制冷和發(fā)電技術(shù)
[8163-0053-0024] 復(fù)合集成電路的設(shè)計(jì)驗(yàn)證方法
[8163-0052-0025] 金屬導(dǎo)線的制造方法
[8163-0210-0026] 模塊組件和電子器件
[8163-0211-0027] 半導(dǎo)體模塊及其制造方法
[8163-0041-0028] 成膜方法和成膜裝置
[8163-0079-0029] 用于微調(diào)集成電路的電路和方法
[8163-0130-0030] 高密度電子封裝及其制造方法
[8163-0028-0031] 參考電壓半導(dǎo)體
[8163-0113-0032] 接觸構(gòu)件及其生產(chǎn)方法以及采用該接觸構(gòu)件的探針接觸組件
[8163-0023-0033] 半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體模塊
[8163-0128-0034] 一種電可擦寫的分子基有機(jī)電雙穩(wěn)薄膜器件及其制作工藝
[8163-0196-0035] Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光組件的切割方法
[8163-0033-0036] 用橫向生長(zhǎng)制備氮化鎵層
[8163-0197-0037] 自鈍化非平面結(jié)三族氮化物半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0185-0038] 靜電放電防護(hù)元件及相關(guān)的電路
[8163-0163-0039] 可降低鄰近效應(yīng)的光刻制作方法
[8163-0021-0040] 薄型封裝的半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0006-0041] 光元件用光學(xué)器件和用該光元件用光學(xué)器件的設(shè)備
[8163-0109-0042] 半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法
[8163-0043-0043] 電子零件的制造方法和制造裝置
[8163-0088-0044] 電光器件及其驅(qū)動(dòng)方法
[8163-0111-0045] 引線框架和引線框架的制造方法
[8163-0095-0046] 塑料芯片載具的無毛邊堡形通孔的制造方法和產(chǎn)品
[8163-0144-0047] 雙金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)開口的制造方法
[8163-0206-0048] 含多晶有源層的薄膜晶體管及其制造方法
[8163-0212-0049] 電壓轉(zhuǎn)換電路
[8163-0090-0050] 有包膜熒光粉的發(fā)光器件
[8163-0097-0051] 具有雙極性晶體管的半導(dǎo)體裝置
[8163-0138-0052] 提高硅化物熱穩(wěn)定性的方法
[8163-0012-0053] 形成溝道金屬氧化物半導(dǎo)體器件和端子結(jié)構(gòu)的方法
[8163-0155-0054] 具有反向隧穿層的發(fā)光二極管
[8163-0061-0055] 固體攝像裝置
[8163-0127-0056] 一種超導(dǎo)薄膜諧振器
[8163-0047-0057] 螺旋接觸器及該裝置制造方法,以及應(yīng)用該裝置的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備和電子元件
[8163-0073-0058] 改善光致抗蝕劑圖案?jìng)?cè)邊輪廓的方法
[8163-0154-0059] 氮化銦鎵發(fā)光二極管
[8163-0181-0060] 具散熱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件
[8163-0143-0061] 半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)方法
[8163-0058-0062] 半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體組件
[8163-0036-0063] 有機(jī)薄膜半導(dǎo)體器件的制造方法
[8163-0040-0064] 液態(tài)膜干燥方法及液態(tài)膜干燥裝置
[8163-0199-0065] 利用加熱到部分凝膠態(tài)的底層填料底層填充控制熔塌芯片連接(C4)集成電路封...
[8163-0218-0066] 氮化鎵基藍(lán)光發(fā)光二極管芯片的制造方法
[8163-0162-0067] 氮化物半導(dǎo)體元件
[8163-0134-0068] 帶有改進(jìn)的接觸點(diǎn)的電可編程存儲(chǔ)器元件
[8163-0165-0069] 增加半導(dǎo)體的介電材質(zhì)的粘附性質(zhì)的方法
[8163-0076-0070] 在親水性介電材質(zhì)上形成低介電常數(shù)材質(zhì)的方法及結(jié)構(gòu)
[8163-0180-0071] 封裝膠體具有肩部的半導(dǎo)體封裝件及用以封裝該半導(dǎo)體封裝件的模具
[8163-0123-0072] 太陽能電池
[8163-0186-0073] 溝槽限定硅鍺靜電放電二極管網(wǎng)絡(luò)
[8163-0201-0074] 制造一種具有由光敏樹脂保護(hù)的集成電路的便攜式電子裝置的方法
[8163-0213-0075] 半導(dǎo)體集成電路系統(tǒng)
[8163-0176-0076] 具溢膠防止結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件及其制法
[8163-0070-0077] 高溫應(yīng)用碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其使用和制造方法
[8163-0184-0078] 導(dǎo)線架具有凹部的半導(dǎo)體封裝件
[8163-0102-0079] 制造半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)備
[8163-0035-0080] 集成電路裝置
[8163-0014-0081] 電路裝置的制造方法
[8163-0179-0082] 功率半導(dǎo)體器件
[8163-0059-0083] 一種硅鍺器件
[8163-0010-0084] 電容器的連線結(jié)構(gòu)的制造方法
[8163-0189-0085] 半導(dǎo)體集成電路
[8163-0037-0086] 鋁合金背面結(jié)太陽電池及其制作方法
[8163-0082-0087] 具有電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制造方法
[8163-0217-0088] 有控制柵隔片的浮柵存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體存儲(chǔ)陣列自對(duì)準(zhǔn)方法及制造的存儲(chǔ)陣列
[8163-0215-0089] 利用超薄介質(zhì)擊穿現(xiàn)象的可再編程不揮發(fā)性存儲(chǔ)器
[8163-0161-0090] 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
[8163-0112-0091] 影像感測(cè)元件及其封裝方法
[8163-0001-0092] 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法
[8163-0103-0093] 測(cè)繪在硅晶片表面上金屬雜質(zhì)濃度的工藝方法
[8163-0151-0094] 一種新穎整流元件的結(jié)構(gòu)及其制法
[8163-0204-0095] 半導(dǎo)體裝置及其制造方法
[8163-0133-0096] 具有低開啟電壓的磷化銦肖特基裝置及其制造方法
[8163-0200-0097] 采用各向異性濕法刻蝕的寬展溝槽的方法
[8163-0147-0098] 無晶片承載件的半導(dǎo)體裝置及其制法
[8163-0160-0099] 大功率半導(dǎo)體器件的供電及散熱裝置
[8163-0060-0100] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
[8163-0003-0101] 熱光電池及其制備方法
[8163-0205-0102] 具嵌入式柵極的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法
[8163-0177-0103] 具有外露晶片座的半導(dǎo)體封裝件
[8163-0056-0104] 半導(dǎo)體裝置及其制造方法
[8163-0048-0105] 半導(dǎo)體器件的制造方法
[8163-0132-0106] 改進(jìn)的射頻功率晶體管
[8163-0009-0107] 薄膜、半導(dǎo)體薄膜、半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法
[8163-0114-0108] 薄膜晶體管平面顯示器
[8163-0136-0109] 具有定位結(jié)構(gòu)的晶圓載入機(jī)及其安裝方法
[8163-0119-0110] 設(shè)置在半導(dǎo)體電路中的保護(hù)電路
[8163-0167-0111] 改善CMOS數(shù)字圖像傳感器成像質(zhì)量的γ射線輻照方法
[8163-0174-0112] 補(bǔ)償型金屬氧化物半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法
[8163-0029-0113] 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體器件和端子結(jié)構(gòu)
[8163-0116-0114] 具有電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制造方法
[8163-0121-0115] 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
[8163-0158-0116] 具有降低接通電阻的超級(jí)自對(duì)準(zhǔn)的溝－柵雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件
[8163-0194-0117] 發(fā)光二極管晶片的封裝及其印刷電路板基底的結(jié)構(gòu)
[8163-0172-0118] 半導(dǎo)體集成電路的測(cè)試裝置及半導(dǎo)體集成電路的測(cè)試方法
[8163-0086-0119] 有機(jī)芯片載體的高密度設(shè)計(jì)
[8163-0149-0120] 具有多個(gè)存儲(chǔ)體的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
[8163-0017-0121] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[8163-0094-0122] 金屬層或金屬硅化物層結(jié)構(gòu)化法以及用該法制造的電容器
[8163-0171-0123] 集成電路封裝基板上的覆晶焊墊
[8163-0150-0124] 一種單電子晶體管及其制備方法
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[8163-0027-0126] 化合物半導(dǎo)體開關(guān)電路裝置
[8163-0068-0127] 改進(jìn)的靜電放電二極管結(jié)構(gòu)
[8163-0071-0128] 靜電控制的隧道晶體管
[8163-0065-0129] 發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電路和用它的光傳輸模塊
[8163-0084-0130] IC芯片封裝組件
[8163-0020-0131] 半導(dǎo)體裝置和使用它的液晶模塊以及液晶模塊的制造方法
[8163-0198-0132] 半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件的制法
[8163-0024-0133] 散熱基板及半導(dǎo)體模塊
[8163-0142-0134] 底部柵極型薄膜晶體管及其制造方法和顯示裝置
[8163-0191-0135] 半導(dǎo)體器件及其制造方法
[8163-0188-0136] 提高磁隧道結(jié)中擊穿電壓的方法
[8163-0054-0137] 互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體的制造方法
[8163-0069-0138] 平板固態(tài)光源
[8163-0080-0139] 圖案檢查設(shè)備,和使用其的曝光設(shè)備控制系統(tǒng)
[8163-0046-0140] 半導(dǎo)體器件及用于制造半導(dǎo)體器件的測(cè)試方法
[8163-0141-0141] 有機(jī)硅類低介電常數(shù)材料的化學(xué)機(jī)械研磨平坦化的方法
[8163-0159-0142] CMOS技術(shù)中抑制窄寬度效應(yīng)的方法
[8163-0126-0143] 由一維納米線陣列結(jié)構(gòu)溫差電材料構(gòu)制的微溫差電池
[8163-0075-0144] 金屬柵極形成方法
[8163-0203-0145] 用于盤狀物的液體處理的設(shè)備
[8163-0209-0146] 形成半導(dǎo)體器件的金屬線的方法
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