產(chǎn)品品牌：賽維

產(chǎn)品型號：LDK

工作電壓：1

本公司供應(yīng)賽維LDK低價(jià)供應(yīng)156單晶硅片質(zhì)量保證，歡迎咨詢洽談。

 

描述

　　項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)
　　生長方式：CZ
　　導(dǎo)電類型：P
　　摻雜劑：硼
　　晶向：〈100〉±1.0°
　　邊長：156±0.5mm
　　直徑：200±0.5mm
　　厚度：200±20μm
　　形狀：準(zhǔn)方形
　　電阻率：1-3Ω。cm
　　少子壽命：≥10μs
　　氧含量：≤1×1018atoms/cm3
　　碳含量：≤5×1016atoms/cm3
　　翹曲度：≤75μm
　　總厚度差異：≤40μm
　　位錯密度：≤1000個/cm3
　　線痕深度：≤10μm
　　崩邊寬度：≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片總數(shù)量≤2個，間隔≥30mm
　　表面質(zhì)量表面清潔；無裂紋，明顯刀痕，凹坑，缺口，孔洞

 

　　我們於2009年3月開始生產(chǎn)單晶硅片。我們研發(fā)出了一系列加工工藝來縮減生產(chǎn)流程中每個環(huán)節(jié)的生產(chǎn)成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產(chǎn)尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環(huán)利用料漿和增加產(chǎn)能等等。　　賽維LDK太陽能采用最先進(jìn)的大容量單晶提拉設(shè)備，不僅使生產(chǎn)極具成本效益，而且可達(dá)到業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。通過嚴(yán)格的檢查標(biāo)準(zhǔn)之后，利用鋼絲方邊刨床對單晶棒進(jìn)行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術(shù)，通過鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構(gòu)成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過專有清洗工藝來清洗和干燥硅片，并進(jìn)行檢查以確保達(dá)到客戶嚴(yán)格的特性和表面質(zhì)量要求。最后，檢查硅片質(zhì)量，封裝成箱并發(fā)往客戶或本公司電池生產(chǎn)廠。技術(shù)規(guī)格

單晶硅片 156 mm x 156 mm

一般特征 參數(shù)結(jié)構(gòu)特征 參數(shù)機(jī)械特性 參數(shù)  產(chǎn)品  單晶硅片  晶體生長方法  CZ  導(dǎo)電類型  P型  摻雜劑  硼  電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm  氧含量  ≤ 1 × 1018atoms/cm3  碳含量  ≤ 1 × 1017atoms/cm3  寬度  156.0 ± 0.5 mm  直徑  200.0 ± 0.5 mm  晶向  <100>  厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm  總厚度變化  ≤ 40 μm  彎曲度  ≤ 70 μm  表面  無微晶結(jié)構(gòu)  鋸痕  ≤ 15 μm

技術(shù)規(guī)格

單晶硅片 125 mm x 125 mm

一般特征參數(shù)結(jié)構(gòu)特征 參數(shù)機(jī)械特性 特性  產(chǎn)品  單晶硅片  晶體生長方法  CZ  導(dǎo)電類型  P 型  摻雜劑  硼  電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm  氧含量  1 × 1018atoms/cm3  碳含量  1 × 1017atoms/cm3  寬度  125.0 ± 0.5 mm  直徑  150.0 ± 0.5 mm;  165.0 ± 0.5 mm; 200 ± 0.5 mm  晶向  <100>  厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm  總厚度變化  ≤ 40 μm  彎曲度  ≤ 70 μm  表面  無微晶結(jié)構(gòu)  鋸痕  ≤ 15 μm