產品品牌：賽維LDK

產品型號：125*125

本公司供應廠價直供LDK125*165單晶硅片質量保證，歡迎咨詢洽談。

 

　　我們於2009年3月開始生產單晶硅片。我們研發出了一系列加工工藝來縮減生產流程中每個環節的生產成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生產尺寸更大的硅錠、增加硅片尺寸、減小硅片厚度、循環利用料漿和增加產能等等。　　賽維LDK太陽能采用最先進的大容量單晶提拉設備，不僅使生產極具成本效益，而且可達到業界最高質量標準。通過嚴格的檢查標準之后，利用鋼絲方邊刨床對單晶棒進行方形成型處理。然后，利用高精度切割技術，通過鋼絲鋸（使用鋼絲和由碳化硅和乙二醇構成的料漿）將方形硅錠切割成硅片。完成切割后，通過專有清洗工藝來清洗和干燥硅片，并進行檢查以確保達到客戶嚴格的特性和表面質量要求。最后，檢查硅片質量，封裝成箱并發往客戶或本公司電池生產廠。

技術規格

單晶硅片 156 mm x 156 mm

一般特征 參數  產品  單晶硅片  晶體生長方法  CZ  導電類型  P型  摻雜劑  硼  電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm  氧含量  ≤ 1 × 10 18 atoms/cm 3  碳含量  ≤ 1 × 10 17 atoms/cm 3 結構特征 參數  寬度  156.0 ± 0.5 mm  直徑  200.0 ± 0.5 mm  晶向  <100>  厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm 機械特性 參數  總厚度變化  ≤ 40 μm  彎曲度  ≤ 70 μm  表面  無微晶結構  鋸痕  ≤ 15 μm

技術規格

單晶硅片 125 mm x 125 mm

一般特征 參數  產品  單晶硅片  晶體生長方法  CZ  導電類型  P 型  摻雜劑  硼  電阻率  1-3, 3-6 Ω.cm  氧含量  1 × 10 18 atoms/cm 3  碳含量  1 × 10 17 atoms/cm 3 結構特征 參數  寬度  125.0 ± 0.5 mm  直徑  150.0 ± 0.5 mm;  165.0 ± 0.5 mm; 200 ± 0.5 mm  晶向  <100>  厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm 機械特性 特性  總厚度變化  ≤ 40 μm  彎曲度  ≤ 70 μm  表面  無微晶結構  鋸痕  ≤ 15 μm

 

描述

　　項目標準
　　生長方式： CZ
　　導電類型： P
　　摻雜劑：硼
　　晶向：〈100〉±1.0°
　　邊長：125±0.5mm
　　直徑：150±0.5mm
　　厚度：200±20μm
　　形狀：準方形
　　電阻率： 1-3Ω。cm
　　少子壽命：≥10μs
　　氧含量：≤1×1018atoms/cm3
　　碳含量：≤5×1016atoms/cm3
　　翹曲度：≤50μm
　　總厚度差異：≤35μm
　　位錯密度
　　線痕深度：≤10μm
　　崩邊寬度：≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片總數量≤2個，間隔≥30mm
　　表面質量表面清潔；無裂紋，明顯刀痕，凹坑，缺口，孔洞