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  技 術 說 明 書   GLP-1972 (半導體鍍純金添加劑)   GPL-1972 半導體鍍純金添加劑概述 GPL-1972是一種中性鍍純金工藝,其配方工藝可以為半導體工業鍍均勻的含量為99.99%純金鍍層。尤其適用于需要焊接或者錫焊的部件。特征與優點高純度優秀的焊接性能低孔隙率高錫焊性高厚度高穩定性鍍金層性能：  金純度                                                        99.99%  硬度（HV/20）                                       60-80  接觸電阻（毫歐）                                   0.3  比重                                                          19.25±0.1  電阻率（0oC）(毫歐.厘米)                     2.3操作條件:                       范圍                       最佳金含量                                                  7-10g/l                                  8g/l陽極電流密度（A/dm2）                   0.25                                    0.25陰極電流密度（A/dm2）                      掛鍍                                 0.3-1.5                                 0.5                      滾鍍                                 0.05-0.3                               0.2pH                                                      7-7.5                                     7溫度（oC）                                         45-65                                   55過濾電流效率（mg/Amin）                           105-120                             1100.5 A/dm2鍍1um所需要時間（min）                                   3.2-3.8                               3.5密度（Be）                                                 15-25                                 15                   設備 槽子     ：  無嚴格限制加熱器：      不銹鋼，鈦合金加熱器皆可，不宜用石英整流器：        能記錄安培分鐘，度數精確，有電壓，電流刻度的標準整流器過濾：          需要陽極：          不溶性陽極，推薦使用鍍鈦的不溶性陽極，陽極面積要足夠大，陽極電流密度不能超過0.25 A/dm2 槽液的配制開缸劑GLP-1972 B是由供應商提供，每五升工作液需要加入3升開缸劑GLP-1972 B，注：開缸劑不含金1， 于清洗干凈的工作槽中注入1/4體積的純水，加熱到45度2， 攪拌下加入所需要的GLP-1972 B3， 將所需要的金氰化鉀（含量68.3%）溶解于熱水中，配成含量為約100g/l然后加入，調整pH值，并加水到工作液位，控制溫度在工作范圍4， 槽液配好后待用  特別聲明此說明書內所有提議或關于本公司產品的建議，是以本公司信賴的實驗及資料為基礎。因不能控制其他從業者的實際操作，故本公司不能保證及負責任何不良后果。此說明書內的所有資料也不能用為侵犯版權的證據。