基本組成：測試臺測試電極組、升降臺、支架、連接線纜等部件組成。

配套與兼容：本測試臺兼容本公司所有臺式四探針測試儀器。本測試臺可兼容國內同行絕大多數四探針電阻率/方阻測試儀器。

優勢特征：SZT-H1質量電阻率測試臺符合國標《GB/T 5230-1995》中對金屬箔類質量電阻率測試要求，測試電極采用銅質刀架制成，故定位準確、游移率小、接觸良好；測試結果由數字表頭直接顯示。儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩定性好、智能化程度高、結構緊湊、測量簡便等特點。

儀器適用于金屬薄膜材料廠、半導體薄膜材料廠、橡塑材料廠、電容器廠、科研單位、高等院校等對半導體或金屬薄膜材料的方阻、電阻率性能的測試。特別適用于要求快速測量中低方阻及要求結果分選的場合。

二、技術參數(配ST2258A型多功能數字式四探針測試儀)

2.1 測量范圍、分辨率（有所配儀器決定）

（1）方阻測試范圍*（以配SZT-H1測試臺為例）

測量膜寬：1mm≤B≤50mm

基本方阻測量值： 1.0×10^-6 ～ 1.2×10³ Ω/□， 分辨率：1.0×10^-7 ～ 1.0×10⁰  Ω/□。

具體膜寬w與測量范圍關系見圖2-1A。

（2）電阻率測試范圍（以配SZT-H1測試臺為例）

（厚度d<10mm,寬w<50mm）

基本電阻率測量值： 1.0×10^-6 ～ 1.2×10³ Ω*cm， 分辨率：1.0×10^-7 ～ 1.0×10⁰  Ω*cm。

具體截面s與測量范圍關系見圖2-1B。

2.2 SZT-H1測試刀架：

⑴電壓刀片間距：20mm±0.2% ，刀刃長60mm

⑵電流刀片間距： 300mm，刀刃長60mm

⑶測試臺架外型尺寸：360×200×240（長×寬×高）