MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200E3U-12H熱賣 MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200E3U-12H正品 MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM200E3U-12H現貨

概要：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是所有產業設備的變換器所必需的器件，從20年前投產開始就不斷推進大電流化和高耐壓化。而且芯片構造從平面構造向溝槽閘門構造推進，通過CSTBT（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：本公司獨創的載流存儲型溝槽閘門），不斷適應產業設備的低損耗化和小型化。以繼承原有外形的NF系列和高頻轉換用NFH系列為首，推出各種型號的IGBT模塊產品陣容。

特長〈NX系列〉采用CSTBT芯片 低損耗、提高短路耐受量、改善閘門容量 從1in1產品到CIB（Converter Inverter Brake）型號的產品陣容 內置熱敏電阻 包裝厚度�。�17mm） 符合RoHS指令

主要用途：通用變頻器和伺服控制等UPS電源，數控機床，交流傳動控制，伺服，焊工.通用變頻器和伺服控制等.高頻開關使用（30kHz到60kHz的）。梯度放大器，感應加熱，電源等

代表反并聯的發射極 - 集電極續流二極管（FWDI）的額定值和特點。情況下的溫度（TC）和散熱片的溫度（Ts）的基板和散熱片的每個表面上定義的剛下芯片。 （芯片的位置，請參閱圖）散熱器的熱阻{RTH（S - A）}剛下芯片測量。脈沖寬度和重復率應該是這樣的器件結溫（T J）劑量不超過T JMAX評級。結溫（T J）不應該增加超出Tj最大評級。脈沖寬度和重復率應該是這樣的，容易引起溫度升高可以忽略不計。 （請參考測試電路的身影）典型值是衡量使用導熱油脂λ=0.9 W /（M·K）。操作溫度受制于女性連接器外殼的許可溫度。