晶瑞

絕緣材料PI薄膜耐電暈時間由于納米氧化鋁（VK-L30JY）的摻入有很大提高。相同實驗條件下，未摻雜PI薄膜的耐電暈時間為4．2 h，摻雜氧化鋁23％的PI薄膜（膜厚12um）的耐電暈時間最低為120.5 h，耐電暈壽命提高30倍以上, 

耐電暈性能提高的原因是摻雜了納米氧化鋁（VK-L30JY）后，在PI薄膜中形成了一層由納米氧化物組成的保護層。納米氧化鋁（VK-L30JY）可能形成了一定網狀結構，在網狀結構當中存在可以俘獲載流子的陷阱結構，被俘獲的載流子形成了空間電場，使加在薄膜上的電場強度變小，電暈老化延緩。這可從下述現象得到驗證：測試時，加上電壓立即發生電暈，經3～4 h后，電暈放電減弱。且Al一O鍵的斷裂能高于C—C、C—N鍵，具較高熱穩定性和抗氧化性，可大幅度提高材料的耐電暈性能。此外，由于納米氧化鋁（VK-L30JY）的體積電阻率小于PI，無機-A-O-網絡可均化電暈時注入材料的空間電荷，減弱局部放電強度 延緩材料老化。

實驗結果表明，在相同條件下，摻雜氧化鋁23％的PI薄膜的耐電暈時間比未摻雜PI薄膜提高30倍以上；介電常數e 較未摻雜PI大；介質損耗tand則相差不大；摻雜納米氧化鋁23％ 的PI薄膜中無機團簇分布均勻，尺寸為50～200 nm；