氮化物半導體技術資料-半導體-缺陷氮化物半導體-光電半導體-氮化合物半導體-用氮化物襯底類資料（268元/全套）選購時請記住本套資料（光盤）售價：268元；資料（光盤）編號：F150128
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《氮化物半導體資料》包括專利技術全文資料419份。
0001)使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法

0011)一種Ⅲ族氮化物半導體材料及其生長方法
0012)氮化物半導體器件制造方法
0013)氮化物半導體發光元件
0014)Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
0015)Ⅲ族元素氮化物結晶半導體器件
0016)制造第III族元素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導體元件
0017)雙金屬氧化物(*)發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
0019)氮化物半導體發光元件
0020)編程硅氧化物氮化物氧化物半導體存儲器件的方法
0021)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0022)氮化物半導體發光器件的制造方法
0023)氮化物半導體襯底及其制造方法
0024)氮化物半導體發光器件
0025)氮化物半導體元件
0026)氮化物半導體及其制備方法
0027)I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
0028)氮化物半導體發光元件以及氮化物半導體發光元件的制造方法
0029)蝕刻金屬氧化物半導體柵極構造的氮氧化方法
0030)氮化物半導體元器件
0031)氮化鎵系列化合物半導體元件
0032)Ⅲ族氮化物基化合物半導體器件
0033)氮化物半導體發光器件
0034)有關氮化鎵的化合物半導體器件及其制造方法
0035)氮化物半導體發光元件
0036)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0037)氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
0038)在Ⅲ(*)氮化鎵類化合物半導體裝置
0040)氮化物半導體器件
0041)氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件
0042)III族氮化物半導體發光器件
0043)氮化物半導體基板及其制造方法
0044)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0045)利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
0046)氮化物半導體光發射裝置及其制造方法
0047)Ⅲ(*)含P型三族氮化合物半導體的光電半導體元件的制造方法
0049)氮化物系半導體激光元件
0050)氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
0051)氮化物半導體激光元件及其制造方法
0052)氮化物半導體發光元件
0053)氮化物半導體激光元件及其制造方法
0054)氮化物半導體元件及其制造方法
0055)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
0057)氮化物系化合物半導體和化合物半導體的清洗方法、這些半導體的制造方法及基板
0058)可以識別表里的矩形氮化物半導體基片
0059)氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
0060)氮化物半導體激光器芯片及其制造方法
0061)氮化物半導體元件
0062)半導體發光器件和氮化物半導體發光器件
0063)氮化物系半導體發光元件
0064)氮化物基半導體裝置的制造方法
0065)氮化鎵類化合物半導體發光元件及其制造方法
0066)一種用于雙金屬氧化物(*)Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導體器件
0068)基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
0069)氮化物系半導體元件的制造方法及氮化物系半導體元件
0070)基于Ⅲ族氮化物的半導體基片及其制造方法
0071)氮化物半導體LED和其制造方法
0072)氮化物半導體元件
0073)氮化物半導體材料及氮化物半導體結晶的制造方法
0074)氮化物半導體器件
0075)氮化物半導體發光裝置制造方法
0076)氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
0077)具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器元件及其制造方法
0078)氮化物半導體發光器件
0079)氮化物半導體發光元件
0080)氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
0081)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導體元器件
0083)氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
0084)自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體元件的制造方法
0085)氮化物半導體發光元件及其制造方法
0086)氮化物系半導體元件及其制造方法
0087)第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
0088)Ⅲ族氮化物晶體、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶體襯底及半導體器件
0089)氮化物半導體元件制造方法
0090)III－V氮化物半導體激光器件
0091)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0092)具三族氮化合物半導體緩沖層的光電半導體組件和其制造方法
0093)氮化物類半導體元件
0094)基于Ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
0095)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0096)氮化物半導體基板及氮化物半導體基板的加工方法
0097)氮化物半導體元件的制造方法
0098)Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
0099)氮化物半導體元件及其制造方法
0100)生產第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的方法
0101)氮化物半導體發光器件
0102)氮化物類半導體元件及其制造方法
0103)制作氮化物半導體發光器件的方法
0104)氮化鎵基化合物半導體器件
0105)反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
0106)具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
0107)Ⅲ族氮化物半導體基板
0108)氮化物半導體器件及其制造方法
0109)GaN基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
0110)第13族金屬氮化物結晶的制造方法、半導體器件的制造方法和這些制造方法中使用的溶液和熔融液
0111)氮化物半導體外延層的生長方法
0112)氮化物半導體發光裝置及其制造方法
0113)用于n型Ⅲ族氮化物半導體的n型歐姆電極、具有該電極的半導體發光器件及用于形成n型歐姆電極的方法
0114)氮化物半導體發光器件和制備氮化物半導體激光器的方法
0115)Ⅲ族氮化物半導體發光器件
0116)Ⅲ(*)制造Ⅲ族氮化物半導體元件的方法
0118)基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
0119)氮化鎵基Ⅲ(*)制造Ⅲ族氮化物半導體的方法
0121)制備Ⅲ族氮化物半導體的方法及Ⅲ族氮化物半導體器件
0122)雙金屬氧化物(*)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0124)氮化物半導體發光器件
0125)氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
0126)氮化物半導體發光元件及其制造方法
0127)氮化物半導體器件的肖特基電極及其制作方法
0128)用于第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n(*)氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
0130)Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
0131)Ⅲ族氮化物制造的半導體襯底及其制造工藝
0132)利用第三族氮化物四元金屬體系的半導體結構
0133)Ⅲ(*)Ⅲ族氮化物半導體發光元件
0135)非極性單晶A(*)低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
0137)氮化物半導體裝置及其制作方法
0138)以氮化物為基礎的半導體發光器件及其制造方法
0139)氮化合物系半導體裝置及其制造方法
0140)氮化物半導體器件
0141)氮化物半導體元件
0142)Ⅲ族氮化物半導體多層結構
0143)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0144)具有定向平面的單晶A(*)氮化物半導體元件及其制造方法和氮化物半導體基板的制造方法
0146)表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
0147)氮化物半導體發光元件及其制造方法
0148)生產Ⅲ族氮化物半導體裝置的方法
0149)具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導體器件
0150)氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光元件
0151)Ⅲ族氮化物半導體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體器件
0152)Ⅲ(*)氮化物半導體的制造方法及半導體器件的制造方法
0154)Ⅲ族氮化物半導體發光組件的切割方法
0155)第三族氮化物半導體器件和其生產方法
0156)氮化物半導體元件的制造方法和氮化物半導體元件
0157)立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
0158)氮化物半導體元件及其制造方法
0159)氮化物半導體元件
0160)具有結晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導體結構
0161)氮化物半導體元件及其制法
0162)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0163)第III族氮化物半導體激光器及其制造方法
0164)氮化物半導體激光器件
0165)氮化物半導體發光器件的制造方法
0166)加工氮化物半導體晶體的方法
0167)氮化物半導體發光器件及其制備方法
0168)氮化物半導體激光器
0169)氮化鎵(GaN)類化合物半導體裝置及其制造方法
0170)氮化物半導體裝置及其制造方法
0171)氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
0172)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0173)III族氮化物半導體器件
0174)氮化鎵系化合物半導體發光器件
0175)氮化鎵系Ⅲ(*)制備III族氮化物半導體的方法及III族氮化物半導體器件
0177)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0178)制造氮化物半導體的裝置和方法及獲得的半導體激光器件
0179)氮化物半導體元件
0180)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0181)Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體外延晶片
0182)氮化物半導體發光裝置制造方法
0183)加工氮化物半導體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導體晶體
0184)氮化物半導體器件及其制造方法
0185)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0186)氮化物半導體激光器件
0187)晶片導向器,MOCVD裝置和氮化物半導體生長方法
0188)氮化物半導體器件
0189)氮化物半導體的生長方法、半導體器件及其制造方法
0190)氮化物半導體激光元件及其制造方法
0191)氮化物系半導體發光元件及其制造方法
0192)氮化物半導體發光器件
0193)一種氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物系半導體元件及其制造方法
0217)制造p(*)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0227)P型氮化物半導體結構以及雙極晶體管
0228)氮化物半導體元件和氮化物半導體結晶層的生長方法
0229)氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
0230)氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
0231)基于氮化物的半導體發光二極管
0232)氮化物半導體器件
0233)復合氮化物半導體結構的外延成長
0234)氮化物半導體生長工藝
0235)氮化物基化合物半導體發光器件的制造方法
0236)氮化物半導體發光元件
0237)氮化物半導體元件
0238)III族氮化物半導體發光裝置
0239)一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
0240)氮化物半導體器件及其制造方法
0241)氮化物類半導體元件的制造方法
0242)氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
0243)氮化物半導體發光裝置及其制造方法
0244)氮化物半導體發光裝置及其制造方法
0245)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物類半導體發光元件及其制造方法
0247)氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
0248)自激振蕩型氮化物半導體激光裝置及其制造方法
0249)氮化物半導體元件
0250)氮化物半導體器件及其制備方法
0251)氮化物半導體；使用該半導體的發光器件,發光二極管,激光器件和燈；及其制造方法
0252)氮化物半導體發光器件的制造方法
0253)在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法
0254)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0255)氮化物半導體發光元件以及氮化物半導體發光元件制造方法
0256)氮化物半導體元件和其制造方法
0257)氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
0258)氮化物半導體激光元件及其制造方法
0259)用于氮化物基半導體裝置的低摻雜層
0260)Ⅲ族氮化合物半導體器件
0261)Ⅲ族氮化物半導體襯底
0262)氮化物半導體激光元件
0263)氮化物半導體器件
0264)用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
0265)氮化物基半導體器件及其制造方法
0266)氮化物半導體元件及其制造方法
0267)氮化物半導體器件及其制造方法
0268)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0269)生長半導體襯底的方法、氮化物基發光器件及其制造方法
0270)鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用
0271)第3(*)硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
0273)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0274)氮化物半導體激光器件及其制造方法
0275)氮化物半導體發光器件及其制備方法
0276)氮化物半導體激光二極管及其制作方法
0277)晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
0278)氮化物半導體元器件
0279)Ⅲ(*)Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件
0281)第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
0282)氮化物半導體器件
0283)氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體元件
0284)基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
0285)氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
0286)氮化物半導體器件及其制造方法
0287)氮化物半導體LED及其制造方法
0288)氮化物系半導體元件
0289)氮化物半導體發光器件
0290)第三族氮化物半導體器件和其生產方法
0291)氮化物基半導體發光二極管
0292)氮化物半導體激光器元件及其制作方法
0293)Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法以及發光器件
0294)氮化物半導體發光器件
0295)氮化物半導體發光器件及其制備方法
0296)氮化物半導體元件
0297)具有減少相分離、利用第三族氮化物四元金屬體系的半導體結構及其制備方法
0298)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導體發光器件
0300)Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導體器件
0301)氮化物半導體基板及其制造方法
0302)氮化物半導體發光器件
0303)氮化物半導體激光裝置以及提高其功能的方法
0304)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0305)使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
0306)氮化物半導體器件
0307)基于氮化物的半導體發光二極管
0308)氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
0309)氮化物系化合物半導體元件的制造方法
0310)氮化物半導體元器件
0311)氮化物系半導體襯底及半導體裝置
0312)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物半導體器件及其制造方法
0315)基板檢查方法及裝置、氮化物半導體元件制造方法及裝置
0316)基于平面結構的Ⅲ族氮化物半導體發光二極管及其制備方法
0317)氮化物基化合物半導體發光元件及其制造方法
0318)具有氮化氧化物層的半導體器件及其方法
0319)周期表第13族金屬氮化物結晶的制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
0320)氮化物半導體裝置及其制造方法
0321)III族氮化物半導體發光二極管
0322)氮化物半導體發光元件
0323)氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導體激光元件和氮化物半導體元件
0325)氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
0326)具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ(*)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0328)氮化物半導體光發射器件及其制造方法
0329)氮化物半導體元器件
0330)氮化物半導體發光器件
0331)高速大功率氮化物半導體器件及其制造方法
0332)自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
0333)氮化鎵化合物半導體制造方法
0334)半導體工藝設備的碳氮化物涂層部件及其制造方法
0335)單一ELOG生長的橫向P(*)第III族氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
0337)氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
0338)氮化物半導體裝置
0339)氮化物半導體元器件
0340)氮化物半導體襯底及器件
0341)氮化物半導體激光元件及其制造方法
0342)氮化物半導體元器件
0343)高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
0344)氮化物半導體元件
0345)氮化物半導體發光器件
0346)氮化物系半導體發光元件
0347)形成第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件用的電極的方法
0348)制造氮化物基半導體器件的方法和如此制造的發光器件
0349)氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
0350)氮化物半導體元件
0351)一種氮化物半導體器件
0352)氮化物半導體發光器件
0353)氮化物系半導體發光元件及其制造方法
0354)氮化物半導體及其制備方法
0355)利用硼離子注入法實現氮化物半導體器件的有源區之間隔離的方法
0356)氮化物基半導體發光裝置及其制造方法
0357)含有Ⅲ族元素基氮化物半導體的電子器件
0358)倒裝型氮化物半導體發光器件
0359)發光氮化物半導體器件及其制造方法
0360)基于氮化物的半導體發光二極管
0361)Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
0362)粘貼有Ⅲ(*)氮化物類半導體元件及其制造方法
0364)倒裝芯片氮化物半導體發光二極管
0365)氮化物半導體生長用襯底
0366)Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法
0367)氮化物基半導體發光器件及其制造方法
0368)第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
0369)用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
0370)Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
0371)氮化物系半導體襯底及其制造方法
0372)摻氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的成膜方法
0373)氮化物半導體激光器元件
0374)氧氮化物磷光體和半導體發光器件
0375)氮化物半導體元件
0376)含有Ga的氮化物半導體單晶、其制造方法以及使用該結晶的基片和器件
0377)氮化物半導體發光器件的透明電極及其制法
0378)氮化物半導體發光器件的制造方法
0379)氮化物半導體元件
0380)氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
0381)氮化物半導體發光器件
0382)氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
0383)氮化物半導體激光器件及其制造方法
0384)氮化物半導體薄膜及其生長方法
0385)氮化物半導體激光器裝置及其制造方法
0386)氮化物半導體發光元件
0387)氮化鎵系Ⅲ(*)具有多層緩沖層結構的氮化物型半導體元件及其制造方法
0389)氮化物半導體發光器件及其制造方法
0390)Ⅲ族類氮化物半導體器件及其制造方法
0391)N型Ⅲ族氮化物半導體疊層結構
0392)氮化鎵基化合物半導體發光器件
0393)氮化物半導體元件
0394)氮化物半導體垂直腔面發射激光器
0395)基于氮化物的半導體發光二極管及其制造方法
0396)氮化鎵基Ⅲ(*)氮化物半導體器件及其制備方法
0398)氮化物類半導體元件
0399)氮化物半導體發光裝置
0400)氮化物基化合物半導體發光裝置及其制造方法
0401)第Ⅲ族元素氮化物半導體元件的生產方法
0402)Ⅲ族氮化物半導體發光元件及其制造方法
0403)氮化物半導體發光裝置
0404)Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
0405)氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
0406)氮化物半導體激光器
0407)氮化物半導體發光元件及其制造方法
0408)氮化物基半導體發光二極管
0409)氮化物半導體發光元件及氮化物半導體激光元件的制造方法
0410)具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
0411)氮化物基半導體發光器件及其制造方法
0412)Ⅲ族氮化物半導體發光器件
0413)氮化物半導體器件及其制造方法
0414)氮化物系半導體元件的制造方法
0415)氮化物半導體元件
0416)用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
0417)氮化物半導體元件
0418)Ⅲ族氮化物半導體器件
0419)Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體基板及其評價方法



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